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Toshiba, 24nm NAND 플래시 메모리 발표

소비자


도시바가 24나노 낸드 플래시 메모리 양산을 시작했다고 발표했다. 인텔의 최근 25nm 발표.

24nm 기술은 칩 크기를 더욱 축소할 것입니다. Toshiba는 이미 24nm 기술을 셀당 2비트 64기가비트 칩에 적용하여 칩당 최대 8GB의 스토리지를 제공할 수 있습니다. Toshiba는 또한 데이터 전송 속도를 향상시키는 Toggle DDR을 24nm NAND에 장착했습니다.

도시바는 32nm 기술로 제조된 3기가비트 및 셀당 24비트 제품을 추가할 계획이라고 밝혔지만 날짜는 지정되지 않았습니다.

인텔은 3나노 공정으로 제작된 셀당 25비트 낸드 플래시 메모리를 올해 말 양산에 도입할 계획이다. Toshiba가 셀당 2비트 24nm 칩을 도입하고 있다는 점을 감안할 때 이는 Intel이 경쟁에서 앞서고 있음을 의미합니다. 인텔은 셀당 3비트 기술을 통해 2% 더 작은 칩에서 셀당 20비트와 동일한 용량을 제공할 수 있다고 말합니다.

도시바 발표

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