A Micron Technology e a Intel anunciaram hoje a disponibilidade de sua nova tecnologia 3D NAND. Desenvolvido em conjunto por ambas as empresas, esta nova tecnologia de memória flash está sendo anunciada como a de maior densidade do mundo. As empresas afirmam que poderão obter capacidade três vezes maior do que as tecnologias NAND concorrentes.
O Flash está sendo adotado ou já é usado na maioria dos campos, desde dispositivos móveis de consumo até implantações corporativas. O maior problema enfrentado atualmente pela indústria é que a NAND planar está atingindo seu limite de dimensionamento prático. A Micron e a Intel pretendem mudar isso com seu 3D NAND que empilha camadas de células de armazenamento de dados verticalmente.
A Intel e a Micron optaram por usar uma célula de porta flutuante, que já é usada há algum tempo na indústria, em sua NAND 3D. Esta é a primeira vez que a célula de porta flutuante foi usada com 3D NAND. Com o histórico comprovado da célula de portão flutuante, a Intel e a Micron acreditam que podem obter melhor desempenho, confiabilidade e maior qualidade com o uso dessa tecnologia. Esta nova tecnologia 3D NAND permite que as células flash sejam empilhadas verticalmente em 32 camadas. Isso alcançará matrizes MLC de 256 Gb e matrizes TLC de 384 Gb, ambas cabendo em um pacote padrão. Esse aumento na capacidade permitirá que os SSDs M.2 atinjam uma capacidade total de armazenamento de 3.5 TB ou mais e os SSDs padrão de 2.5" terão uma capacidade total de armazenamento de 10 TB ou mais. Esse aumento na capacidade tornará o flash muito mais atraente para os data centers que precisam caber no armazenamento dentro de uma certa densidade.
As principais características incluem:
- Grandes capacidades – Três vezes a capacidade da tecnologia 3D existente – até 48 GB de NAND por matriz – permitindo que três quartos de um terabyte caibam em um único pacote do tamanho da ponta de um dedo.
- Custo reduzido por GB – NAND 3D de primeira geração é arquitetado para obter melhores eficiências de custo do que NAND planar.
- Rápido – Alta largura de banda de leitura/gravação, velocidades de E/S e desempenho de leitura aleatória.
- Verde – Novos modos de hibernação permitem o uso de baixo consumo de energia, cortando a energia da matriz NAND inativa (mesmo quando outras matrizes no mesmo pacote estão ativas), diminuindo significativamente o consumo de energia no modo de espera.
- Inteligente – Novos recursos inovadores melhoram a latência e aumentam a resistência em relação às gerações anteriores, além de facilitar a integração do sistema.
Disponibilidade
O MLC de 256 Gb está sendo testado com parceiros selecionados hoje e o de 384 Gb será testado ainda neste trimestre. A produção está prevista para começar no segundo semestre de 2015.
A Toshiba também anunciou hoje uma nova tecnologia 3D NAND.
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