A Toshiba anunciou o desenvolvimento de uma memória flash de estrutura celular empilhada tridimensional de 48 camadas denominada BiCS, um dispositivo de 2 gigabits (128 gigabytes) de 16 bits por célula. Adequado principalmente para unidades de estado sólido, o BiCS é baseado em um processo de empilhamento de 48 camadas, que aumenta a confiabilidade da resistência de gravação/apagamento ao mesmo tempo em que aumenta a velocidade de gravação. As remessas de amostras de produtos usando a nova tecnologia de processo começarão hoje.
A Toshiba continuou a enfatizar o desenvolvimento da produção em massa otimizada para atender ao crescimento do mercado em 2016 e no futuro. A empresa inventou a tecnologia BiCS 3D no início dos anos 2000, e a Toshiba está endossando proativamente a migração para a memória Flash 3D ao lançar um portfólio de produtos com foco em aplicativos de grande capacidade, incluindo SSDs. A tecnologia 3D da Toshiba oferece quatro benefícios principais: a tecnologia 3D usa menos energia, promove melhor resistência, aumenta a eficiência de energia e oferece maior densidade. Como resultado, isso torna a tecnologia ideal para uma variedade de casos de uso de aplicativos de alto desempenho.
A Toshiba também está se preparando para a produção em massa de seu novo Fab2 em Yokkaichi Operations, seu local de produção de memórias flash NAND. Por volta dessa época, no ano passado, a empresa anunciou que substituiria sua antiga instalação de fabricação em Yokkaichi, no Japão, para a transição para a tecnologia 3D NAND. O novo Fab2 está atualmente em construção e será concluído em algum momento durante o primeiro semestre de 2016.
A Micron e a Intel também anunciaram hoje uma nova tecnologia 3D NAND desenvolvida em conjunto.
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