A Samsung anunciou que iniciou a produção em massa do PM853T, o primeiro SSD de alto desempenho baseado em NAND (TLC) de três bits para servidores e data centers. O PM853T da Samsung é cotado para oferecer um aumento de 30% na eficiência de fabricação em comparação com SSDs que usam componentes flash NAND de 2 bits. O PM853T permite que os datacenters gerenciem melhor cargas de trabalho relacionadas a redes sociais, navegação na web e e-mail, além de melhorar a eficiência da operação. As instalações dos SSDs MLC NAND de 3 bits devem começar ainda neste trimestre.
O SSD PM853T está disponível em capacidades de 240 GB, 480 GB e 960 GB e oferece altos níveis de desempenho IOPS aleatório e qualidade de serviço, ambos essenciais para aplicativos de data center e servidor em nuvem. Como resultado, a Samsung espera que a adoção de SSDs de 3 bits em data centers substitua o mercado de SSDs de 2 bits em um ritmo acelerado. O PM853T também permitirá que os gerentes de TI otimizem suas atualizações de SSD com níveis de investimento semelhantes aos dos SSDs de consumo.
Os componentes flash NAND de 10 bits da classe 3nm da Samsung, bem como a tecnologia avançada do controlador, permitem que a nova unidade apresente impressionantes velocidades sequenciais de leitura e gravação de 530 MB/s e 420 MB/s, respectivamente, com IOPS de dados de leitura aleatória em 90,000 e aleatório sustentado grava a 14,000 IOPS.
A Samsung afirma que o mercado global de SSD deve crescer cerca de 30% nos Estados Unidos – de US$ 9.4 bilhões em 2013 para US$ 12.4 bilhões em 2014. O relatório da IHS iSuppli também indica que essa tendência continuará, chegando a US$ 20 bilhões em 2017.
ATUALIZAÇÃO 6/2/2014 – Análise do SSD Samsung 845DC EVO publicada (mesmo SSD que o PM853T, porém em embalagem para varejo em vez de OEM)
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