Samsung har meddelat att de har börjat massproducera ett åttonde generationens V-NAND med 1 terabit (Tb) triple-level cell (TLC) och branschens högsta bitdensitet. Detta nya V-NAND kommer också att ha den högsta lagringskapaciteten som finns tillgänglig på marknaden, vilket möjliggör större lagringsutrymme i nästa generations företagsserversystem. Samsung tillkännagav tidigare sin åttonde generationens 1Tb TLC V-NAND på Flash Memory Summit 2022 och Samsung Memory Tech Day 2022, samt utökningen av sin NAND flash-produktionskapacitet i Pyeongtaek, Korea, 2020.
Samsung indikerar att deras åttonde generationens V-NAND kommer att hjälpa till att möta snabbt växande efterfrågan på marknaden och kommer att tillåta dem att utveckla mer unika produkter och lösningar. De kunde uppnå denna bittäthet genom att avsevärt förbättra bitproduktiviteten per wafer.
Med det senaste "Toggle DDR 5.0-gränssnittet" har Samsungs nya V-NAND-teknik en I/O-hastighet på upp till 2.4 Gbps, vilket är ungefär en 1.2X förstärkning jämfört med deras tidigare generation. Detta kommer att göra det möjligt för den nya V-NAND att stödja prestandakraven och standarderna för PCIe 4.0 och PCIe 5.0 (men vid ett senare tillfälle).
Samsung tror att dess åttonde generationens V-NAND kommer att hjälpa till att utöka lagringskapaciteten i nästa generations företagsservrar. De planerar också att utöka användningen till fordonsmarknaden också.
Amazon