Samsung har tillkännagivit utbyggnaden av sin NAND-blixtproduktionskapacitet i Pyeongtaek, Korea, för att möta krav på medellång till lång sikt, specifikt för marknadens framväxande teknologier. Konstruktionen är redan i full gång vid anläggningen, med massproduktion av deras V-NAND-minne planerad att starta någon gång under andra halvan av 2021. Samsung indikerar att de kommer att fortsätta att göra nya investeringar för att "ta vara på framtida marknadsmöjligheter".
Samsungs Pyeongtaek Campus byggdes tillbaka 2015 och anses vara ett "nav för nästa generations minnesteknik", eftersom det har två av världens största produktionslinjer. Som sådan är företaget vanligtvis föregångare när det gäller innovation inom NAND-teknik. Det var till exempel det första företaget att massproducera sjätte generationens (1xx-lager) V-NAND i juli förra året.
Här är en historia av Samsungs V-NAND-massproduktion:
| Datum | V-NAND |
| juli 2013 | 1st-generation (24-lager) 128Gb MLC V-NAND |
| augusti 2013 | 1st-generation 128Gb MLC V-NAND 960GB SSD |
| augusti 2014 | 2nd-generation (32-lager) 128Gb 3-bitars V-NAND |
| September 2014 | 2nd-generation V-NAND SSD |
| augusti 2015 | 3rd-generation (48-lager) 256Gb 3-bitars V-NAND |
| September 2015 | 3rd-generation V-NAND SSD '850 EVO', '950 PRO' |
| December 2016 | 4th-generation (64-lager) 256Gb 3-bitars V-NAND |
| Januari 2017 | 4th-generation V-NAND SSD |
| Januari 2018 | 4th-generation 512Gb V-NAND 30.72TB SAS SSD |
| Maj 2018 | 5th-generation (9x-lager) 256Gb 3-bitars V-NAND |
| juni 2018 | 5th-generation V-NAND SSD |
| juni 2019 | 6th-generation (1xx-lager) 256Gb 3-bitars V-NAND |
| juli 2019 | 6th-generation V-NAND SSD |
Amazon