今天在巴黎舉行的 IEEE 國際存儲器研討會上，IBM Research 宣布其科學家在相變存儲器 (PCM) 方面取得了突破。 這種相對較新的內存技術（就其使用方式而言）前景廣闊。 然而，這是科學家們第一次能夠使用 PCM 可靠地為每個細胞存儲 3 位數據。 這一內存突破可能會提供快速簡便的存儲，這對移動和物聯網 (IoT) 尤其有益。
近年來，圍繞著Xpoint等下一代技術，湧現出多項進展和未來發展計劃。相變記憶體（PCM）並非一項新技術（其歷史可追溯至20世紀60年代），但近年來，其有效利用能力卻引起了廣泛關注。 PCM兼具讀寫速度、耐用性、非揮發性和高密度等優點。斷電後資料不會遺失，且至少可承受1000萬次寫入循環，這使其優於DRAM和現有快閃記憶體。 PCM的應用場景包括：建立速度極快的混合儲存層；作為高速緩存，例如用於儲存行動裝置的整個作業系統以實現快速啟動；以及將整個資料庫儲存在PCM儲存上，從而為時間要求嚴格的線上應用程式提供超快的查詢處理速度。
PCM 有兩種穩定狀態，非晶態和結晶態。 這些狀態使用低（非晶）和高（結晶）電流寫入數據，使用低電壓讀回數據，就像可重寫的藍光光盤一樣。 過去，科學家們已經能夠在 PCM 中每個單元存儲 1 位。 現在，IBM 研究科學家展示了在高溫和 3 萬次耐久性循環後，在 64k 單元陣列中每個單元成功存儲 1 位。 為了實現這種多位存儲，IBM 科學家開發了兩項創新的支持技術：一組漂移免疫細胞狀態指標和漂移容忍編碼和檢測方案。
來自 IBM：
[T] 新的電池狀態指標測量 PCM 電池的物理特性，該物理特性隨時間保持穩定，因此對漂移不敏感，漂移會影響電池電導率隨時間的穩定性。 為了在環境溫度波動的情況下提供單元中存儲的數據的額外魯棒性，採用了新穎的編碼和檢測方案。 該方案自適應地修改用於檢測單元存儲數據的電平閾值，以便它們跟隨溫度變化引起的變化。 因此，可以在存儲器編程後的很長一段時間內可靠地讀取單元狀態，從而提供非易失性。
以上述方式使用的 PCM 是內存的另一項創新，有可能顯著影響行業的發展。 但請記住，這是在實驗室條件下進行的演示，尚未準備好進行商業生產。
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