英特爾和美光宣布推出基於 3 納米工藝技術的每單元 3 位 (25bpc) NAND 閃存。 樣品即將推出，預計今年將進行全線生產。
8GB 25nm 光刻每個單元存儲三位信息（三級單元 TLC），而不是傳統的一位（單級單元）或兩位（多級單元）。 結果是該設備比相同容量的 20nm MLC 小 25% 以上，後者是目前生產的最小的單個 8GB 設備。
英特爾 Tom Rampone 表示：“隨著 25 月份推出業界最小的 3nm 裸片尺寸，緊隨其後的是在 25nm 上每單元 8 位，我們繼續獲得動力並為客戶提供一系列引人注目的領先產品。”英特爾 NAND 解決方案事業部副總裁兼總經理。 “英特爾計劃利用 IMFT 在設計和製造方面的領先地位，基於新的 25GB TLC XNUMXnm NAND 設備為我們的客戶提供更高密度、具有成本競爭力的產品。”
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