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英特爾、美光週一推出 25 納米 NAND 閃存

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預計美光和英特爾將於週一宣布 25 納米 NAND 閃存技術。 這些公司顯然已經在對 25nm 8GB 設備進行採樣; 預計今年1H量產。 當前的 NAND 閃存設備基於 34 年推出的 2008nm 閃存。

使用 25nm 工藝,8GB 芯片比一分錢還小,基本上可以用於任何使用閃存的東西(手機、MP3 播放器、閃存驅動器、存儲卡等)。 此外,從 25nm 轉向 34nm NAND 閃存將降低成本,因為可以從單個矽晶圓中生產出更多的芯片。

週一查看 StorageReview.com 以了解預期的官方公告。

來源文章 (PCMag.com)
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