Pure Storage 揭示 FlashArray//m 架構細節

by 萊爾·史密斯 on 2015 年 11 月 5 日

今年6月，Pure Storage發布了名為FlashArray//m的全新全快閃陣列，這是他們最新的全快閃主儲存解決方案。 Pure Storage最近公佈了更多關於這款新陣列的信息，特別是FlashArray//m的組成組件：整體架構、NV-RAM、PCIe非透明橋接器以及閃存模組。

在查看其架構時，Pure Storage 透露，儘管它仍然利用包括英特爾 CPU、DRAM 內存和標準 SSD 在內的商品組件，但他們已將它們打包到新陣列中的更小、更高密度的平台中。這允許 //m 充分利用技術和密度/價格點目標。

在發表會上，Pure Storage 宣布他們為 FlashArray//m 自主研發了 NV-RAM 記憶卡，這相比FA-400 系列中使用的 SLC SSD 而言是一項重大進步。此儲存系統會將寫入操作先寫入 NV-RAM，然後再將資料均勻分佈到 //m 中的所有 SSD 上。 Pure Storage 稱為 FlashCare 的技術，利用 NV-RAM 可以延長底層 SSD 的使用壽命。 NV-RAM 在儲存陣列領域並不常見。在此之前，包括Nexenta 在內的許多廠商都曾使用過這項技術。但長期以來，NV-RAM 解決方案的選擇非常有限。 STEC 曾推出一款名為 ZeusRAM 的產品，HGST 目前仍以極小的產量持續銷售。雖然其他廠商也發布過類似的解決方案，但這些方案的規模有限，而且價格往往非常昂貴。正因如此，Pure Storage 才決定自主研發，為 //m 陣列量身訂做 NV-RAM 解決方案。

此外，新的 NV-RAM 模塊結合了由超級電容器支持的 DDR3 DRAM 和 NAND 閃存。因此，超級電容器內部存儲的能量可用於在突然斷電時為 NV-RAM 模塊供電。 Pure Storage 的新閃存陣列配備了多達 4 個這樣的熱插拔模塊，它們雙宿主到兩個控制器，並通過支持 NVMe 的 PCIe 連接。

同時宣布的還有 FlashArray//m 使用非透明橋接器 (NTB)，這是一種連接兩個系統的點對點 PCIe 總線，可在兩個子系統之間提供電氣隔離。這會減少實現高可用性所需的組件數量。 Pure Storage 聲稱這將意味著更少的佈線複雜性以及控制器之間的本機性能的改進。

Pure Storage 使用閃存模塊設計允許使用新的插入器將 SATA 轉換為 SAS，並為每個模塊中的兩個 SSD 提供接口。這不僅增加了容量，而且還允許雙倍數量的 SSD 控制器，從而顯著提高性能。 Pure Storage 補充說，每個閃存模塊都是可熱插拔的，並且通過基於 PCIe 的 SAS 12Gb/s 連接雙宿主到每個控制器。使用 SATA SSD 還有助於降低 //m 的成本。