三星宣布其5nm FinFET製程技術現已準備好向客戶提供樣品。早在2018年10月，三星就開始量產基於EUV微影技術的7nm LLP工藝，這是其首個採用EUV微影技術的製程節點。 5nm FinFET製程在邏輯面積效率方面可提升高達25%，同時功耗降低20%或效能提升10%。三星還可以將7nm IP複用於5nm工藝，這使得向5nm過渡的客戶能夠降低遷移成本，擁有預先驗證的設計生態系統，並縮短5nm產品的開發週期。 5nm製程在金屬層圖案化過程中採用EUV光刻技術，減少了光罩層數，同時提供了更高的保真度。
Samsung Foundry 與其 Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE) 合作夥伴之間的協作為其 5nm 提供了“強大的設計基礎設施”，包括工藝設計套件 (PDK)、設計方法 (DM)、電子設計自動化 (EDA) 工具，以及知識產權。 Samsung Foundry 已開始為客戶提供 5nm 多項目晶圓 (MPW) 服務。
三星還在與客戶合作開發基於 EUV 的定制工藝節點 6nm，並已收到其首款 6nm 芯片的產品流片。
目前，三星鑄造廠基於 EUV 的工藝技術的生產正在韓國華城的 S3 生產線上進行。 他們正計劃將其 EUV 產能擴展到華城的一條新 EUV 生產線，預計該生產線將於 2019 年下半年的某個時間完成，並在次年提高產量。
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