三星在宣布量產4GB DRAM封裝後不久，又率先在業界推出了基於UFS 2.0標準的256GB嵌入式內存，用於下一代高階行動裝置。三星表示，這款新型嵌入式記憶體將為行動裝置提供卓越的效能，其效能將超越一般PC用SATA介面固態硬碟。
全新的256GB嵌入式內存採用三星最先進的V-NAND閃存芯片以及專門設計的高性能控制器。 此外，由於它基於UFS 2.0標準，隨機讀寫分別可以處理高達45,000和40,000 IOPS，比上一代UFS內存的19,000和14,000 IOPS快兩倍多。
三星的 256GB UFS 還利用了兩條數據傳輸通道，順序讀取速度可達 850MB/s，寫入速度可達 260MB/s。 三星補充說，這將使 256GB UFS 內存支持大屏幕移動設備上的無縫超高清視頻播放和多任務處理功能，包括在搜索圖像文件或下載視頻剪輯時分屏播放 4K 超高清電影。 使用三星先進的內存技術還可以讓新的 UFS 內存芯片更加緊湊，甚至比 micro SD 卡還要小。
三星計劃擴展其基於其先進的 V-NAND 閃存（包括新的 256GB UFS）的高端存儲產品線，並打算根據全球需求增加其產量。
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