三星電子宣布，已開始量產業界首款基於第二代高頻寬記憶體（HBM2）介面的4GB DRAM封裝。這款專為高效能運算（HPC）、高階圖形、網路系統和企業伺服器設計的DRAM，速度將比現有DRAM的效能極限提升七倍以上，從而顯著提高高階運算任務的回應速度。此前，該公司於去年10月推出了128GB 3D TSV DDR4 RDIMM記憶體條。
如圖所示，128GB 3D TSV DDR4 RDIMM
利用三星最高效的 20 納米工藝技術和先進的 HBM 芯片設計，4GB HBM2 封裝是通過在底部堆疊一個緩衝裸片和在頂部堆疊四個 8Gb 核心裸片（單個裸片包含超過 5,000 個 TSV 孔）而創建的。 三星解釋說，他們然後通過 TSV 孔和微凸塊垂直互連。 三星新的 DRAM 封裝也將上一代的帶寬提高了一倍，達到 256GBps。 此外，與基於 4Gb-GDDR5 的解決方案相比，它的每瓦帶寬翻倍，同時嵌入 ECC 功能以實現高可靠性，從而提高能效。
三星表示，他們計劃在今年內生產 8GB HBM2 DRAM 封裝，與 GDDR95 DRAM 相比，這將使設計人員受益於空間節省超過 5%。 因此，為需要高級圖形計算能力的緊湊型設備提供更優化的解決方案將成為可能。
三星補充說，他們將在 2 年逐步提高其 HBM2016 DRAM 的產量，以滿足網絡系統和服務器的市場需求。
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