三星宣布將量產業界首款採用矽通孔（TSV）技術的128GB DDR4記憶體模組，用於企業級伺服器與資料中心。此外，三星全新的TSV RDIMM技術為企業級超大容量記憶體鋪平了道路。這款新型TSV DRAM模組號稱是目前市面上容量最大、能源效率最高的DRAM模組，同時兼具高速效能與高可靠性。 128GB TSV DDR4 RDIMM記憶體模組包含144顆DDR4晶片，封裝在36個4GB DRAM封裝中，每個封裝包含四顆採用先進TSV封裝技術的20nm製程8Gb晶片。上週，三星宣布與Netlist公司合作，共同開發一種新型記憶體解決方案－NVDIMM-P（NV-P）。
傳統的芯片封裝通過引線鍵合互連管芯堆疊，而 TSV 封裝使用的芯片管芯被打磨到只有微米，然後穿上數百個細孔，並通過穿過這些孔的電極垂直連接。 這使得信號傳輸顯著增加。 此外，三星新推出的 128GB TSV DDR4 模塊採用獨特的設計，每個 4GB 封裝的主芯片都嵌入了數據緩衝功能，以優化模塊性能和電源效率。 這為下一代服務器創建了低功耗解決方案，速度高達 2,400 Mbps。 三星表示，與 50GB LRDIMM 相比，這個數字幾乎是性能的兩倍，能效高出 64%。 此外，三星的 TSV DRAM 將包括數據傳輸速度高達 2,667Mbps 和 3,200Mbps 的模塊，專為強化企業服務器需求而設計。
三星計劃在未來幾週內提供其全新高性能 TSV DRAM 模塊的完整系列，包括 128GB LRDIMM。 該公司還計劃將 TSV 應用擴展到高帶寬存儲器 (HBM) 和消費產品中。
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