三星宣布，已開發出業界首款採用12層3D-TSV（矽通孔）技術製造的高頻寬記憶體晶片。高頻寬記憶體（HBM）廣泛應用於人工智慧和機器學習應用的眾多電腦元件中，例如高階顯示卡、FPGA、CPU和網路設備。此前，業界最高水準僅8層。三星成立於1938年，以其電子產品而聞名，長期以來一直是該領域的主要推動者之一。值得一提的是，這是三星今年在HBM領域取得的第二個突破；去年3月，三星宣佈開發出一款名為Flashbolt的超高容量HBM2E晶片，其數據頻寬高達410GB/s，內存容量達16GB。
三星的新技術堆疊了 12 個 DRAM 芯片，其厚度與當前的 720 層 HBM8 產品相同，厚度為 2 ㎛。 實現這 2% 的密度增加需要超過 XNUMX 個 TSV 孔，這對生產提出了重大挑戰，三星一直對製造商何時可以開始將這些新芯片納入其處理芯片的確切時間持謹慎態度，這是可以理解的。 到目前為止，三星唯一告訴我們的是他們很快就能量產，這表明他們甚至還沒有最終確定生產線。 一旦製造商拿到它們，它們很快就會進入消費者手中，因為它們與當前一代具有相同的厚度（可能還有其他外形尺寸，儘管三星沒有這麼說） HBMXNUMX 內存。
這是三星在 2 年迄今為止在 HBM2019 製造方面取得的第二次進展。今年 2 月，三星宣布開發名為 Flashbolt 的 HBM16E 芯片，其內存容量是目前市場上芯片的兩倍，達到 24GB。 將 Flashbolt 中展示的進步與他們最新的開發相結合，使他們能夠將一半的層數打包到同一空間中，三星預測他們尚未命名的下一個高帶寬存儲芯片的一些非常令人印象深刻的數字。 三星表示，新芯片的容量將達到 XNUMXGB。 他們還沒有告訴我們新的帶寬是多少。
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