三星電子剛剛宣布他們已經開始生產用於 SD 存儲卡和嵌入式解決方案的 20 納米級 NAND 芯片。 新工藝改進了 30 納米工藝，為存儲解決方案帶來了更好的性能和密度。 新的 32Gb（千兆位）MLC NAND 芯片增加了三星的存儲解決方案組合。
據三星稱，20nm MLC NAND 芯片的生產力水平比上一代 50nm NAND 高出 30%。 8GB SD 卡的寫入性能比基於 30nm 級的 SD 卡快 30%。 這為內存提供了 10 級速度等級（20MB/s 讀取，10MB/s 寫入）。 可靠性水平與 30 納米級的水平相當。
首批 20 納米級生產芯片已於 20 月完成，樣品現已交付給客戶。 新芯片的生產將在今年秋天擴大。 使用 4nm 芯片的存儲卡容量範圍從 64GB 到 XNUMXGB。
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