Toshiba Memory America, Inc. (TMA) 今天宣布，它已開始對採用其 64 層 BiCS FLASH 3D 閃存的通用閃存 (UFS) 設備進行採樣。 TMA 表示，這些新設備將能夠滿足需要高速讀/寫性能和低功耗的應用程序的性能需求。 理想的用例將出現在智能手機和平板電腦等移動設備以及增強/虛擬現實係統中。
東芝將發布四種容量：32GB、64GB、128GB和256GB。 所有這些設備都將閃存和控制器集成在一個符合 JEDEC 標準的 11.5x13mm 封裝中。 據該公司稱，該控制器執行糾錯、磨損均衡、邏輯到物理地址轉換和壞塊管理——允許用戶簡化系統開發。
從性能角度來看，東芝聲稱讀取速度為 900MB/s，寫入速度為 180MB/s（64GB 版本）。 他們繼續聲稱與前幾代產品相比，隨機性能提高了 200% 和 185%，但沒有給出具體數字。 新設備也是 JEDEC UFS Ver. 2.1 兼容（包括 HS-GEAR3），使它們的理論接口速度高達每通道 5.8Gbps（x2 通道 = 11.6Gbps），同時還抑制了功耗的任何增加。 新的 UFS 設備通過其串行接口支持全雙工，這意味著它們可以在主機處理器和 UFS 設備之間同時讀取和寫入。
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