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Toshiba kündigt neue NAND-Flash-Speicherprodukte für eingebettete Anwendungen an

Angehängter Speicher  ◇  Unternehmen

Toshiba America Electronic Components, Inc. kündigte eine neue Familie von NAND-Flash-Speicherprodukten für eingebettete Anwendungen an: Toshibas Serial Interface NAND. Die NAND-Familie mit serieller Schnittstelle ist mit der seriellen Peripherieschnittstelle (SPI) kompatibel und bietet eine breite Palette von Anwendungsfällen, darunter Flachbildfernseher, Drucker, tragbare Geräte und Roboter. Die NAND-Familie mit serieller Schnittstelle besteht aus 12 Produkten; umfasst drei Dichten (1 GB, 2 GB und 4 GB); zwei Pakete (WSON und SOP); und zwei Versorgungsspannungen.

Da für die erweiterten Funktionen, die heute in eingebetteten Geräten zu finden sind, größere Speicherdichten erforderlich sind, verlagert sich die Nachfrage weg vom Standard-NOR-Speicher hin zum SLC-NAND-Flash-Speicher. Dank der Kompatibilität mit SPI kann die NAND-Familie mit serieller Schnittstelle von Toshiba mit 6 Pins gesteuert und als SLC-NAND-Flash-Speicher verwendet werden.

Hauptmerkmale

  • Verwendet 24-nm-Prozesstechnologie für SLC NAND
  • Kompatibel mit dem weit verbreiteten SPI, das mit einer geringen Pinzahl von 6 Pins gesteuert werden kann
  • Erhältlich in kleinen und vielseitigen Paketen. Die WSON-Gehäusegröße beträgt 6.0 mm × 8.0 mm und die SOP-Gehäusegröße beträgt 10.3 mm × 7.5 mm. Produkte im BGA*3-Gehäuse befinden sich ebenfalls in der Entwicklung, Musterlieferungen sind für das erste Quartal (Januar-März) 2016 geplant. Die Gehäuse und die Pinbelegung sind mit gängigen seriellen Flash-Speichern kompatibel.
  • Eingebetteter ECC (Error Correction Code) mit Bit-Flip-Count-Berichtsfunktion
  • Eingebettete Datenschutzfunktionen

Wichtige technische Daten

  • Dichte: 1 Gbit / 2 Gbit / 4 Gbit
  • Seitengrößen: 2 KByte (1 Gbit, 2 Gbit), 4 KByte (4 Gbit)
  • Schnittstelle: Serielle Peripherieschnittstelle, Modus 0, Modus 3
  • E/A: x1, x2, x4
  • Spannungen: 2.7–3.6 V, 1.7–1.95 V
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 85 °C
  • Gehäuse: 8-poliges WSON (6 mm × 8 mm) und 16-poliges SOP (10.3 mm × 7.5 mm)
  • Sonstiges           
    • Sequentielle Hochgeschwindigkeits-Lesefunktion
    • ECC-Funktion (EIN/AUS, Bit-Flip-Count-Bericht)
    • Datenschutzfunktion (kann bestimmte Blöcke schützen)
    • Parameterseitenfunktion (kann detaillierte Informationen zum Gerät ausgeben)

Verfügbarkeit

Toshiba liefert bereits Muster der neuen NAND-Familie aus. Die Massenproduktion soll im Dezember 2015 beginnen.

Toshiba Global

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Adam Armstrong

Adam ist der Chefredakteur für Nachrichten bei StorageReview.com und leitet unsere internen und freiberuflichen Content-Teams.