Hoy, en el Taller Internacional de Memoria IEEE en París, IBM Research anunció que sus científicos han hecho un gran avance en la memoria de cambio de fase (PCM). Esta tecnología de memoria relativamente nueva (en el sentido de cómo se utiliza) es muy prometedora. Sin embargo, esta fue la primera vez que los científicos pudieron almacenar 3 bits de datos por celda de manera confiable utilizando PCM. Este avance en la memoria podría proporcionar un almacenamiento rápido y fácil que sería especialmente beneficioso para los dispositivos móviles y el Internet de las cosas (IoT).
En los últimos años se han anunciado varios avances y desarrollos futuros en tecnologías de próxima generación como Xpoint . La memoria de cambio de fase (PCM) no es una tecnología nueva (se remonta a la década de 1960), pero su uso efectivo ha causado sensación en los últimos años. La PCM ofrece varias ventajas gracias a su combinación de velocidad de lectura/escritura, durabilidad, no volatilidad y densidad. La PCM no pierde datos al apagarse y soporta al menos 10 millones de ciclos de escritura, lo que la sitúa por delante de la DRAM y la memoria flash convencional. Entre los casos de uso de la PCM se incluyen una capa de almacenamiento híbrido extremadamente rápida, una caché veloz capaz de almacenar, por ejemplo, el sistema operativo completo de un dispositivo móvil para un arranque rápido, y el almacenamiento de bases de datos completas en PCM para un procesamiento de consultas ultrarrápido en aplicaciones en línea críticas en tiempo real.
PCM tiene dos estados estables, amorfo y cristalino. Estos estados usan corriente eléctrica baja (amorfa) y alta (cristalina) para escribir datos y bajo voltaje para volver a leer los datos, como un disco Blu-Ray regrabable. En el pasado, los científicos han podido almacenar 1 bit por celda en PCM. Ahora, los científicos de investigación de IBM presentan con éxito el almacenamiento de 3 bits por celda en una matriz de 64k celdas a temperaturas elevadas y después de 1 millón de ciclos de resistencia. Para lograr este almacenamiento de varios bits, los científicos de IBM desarrollaron dos tecnologías innovadoras: un conjunto de métricas de estado celular inmunes a la deriva y esquemas de codificación y detección tolerantes a la deriva.
De IBM:
[L]as nuevas métricas del estado de la celda miden una propiedad física de la celda PCM que permanece estable con el tiempo y, por lo tanto, son insensibles a la deriva, lo que afecta la estabilidad de la conductividad eléctrica de la celda con el tiempo. Para proporcionar solidez adicional a los datos almacenados en una celda frente a las fluctuaciones de la temperatura ambiente, se emplea un nuevo esquema de codificación y detección. Este esquema modifica de forma adaptativa los umbrales de nivel que se utilizan para detectar los datos almacenados de la celda para que sigan las variaciones debidas al cambio de temperatura. Como resultado, el estado de la celda se puede leer de manera confiable durante largos períodos de tiempo después de programar la memoria, lo que ofrece no volatilidad.
PCM utilizado de la manera anterior es otra innovación de la memoria que tiene el potencial de afectar drásticamente el avance de la industria. Pero hay que tener en cuenta que esta es una demostración en condiciones de laboratorio y aún no está lista para la producción comercial.
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