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SK hynix envía muestras de HBM4E de 12 núcleos: 16 Gbps por pin y pilas de 48 GB.

AI  ◇  Empresa

SK hynix anunció el envío de muestras de su memoria HBM4E (High Bandwidth Memory) de 12 capas a sus principales clientes, lo que representa un nuevo avance en la estrategia de memorias para IA de la compañía. La empresa indicó que las muestras se entregaron según lo previsto y que colaborará estrechamente con sus socios para lograr una producción en masa oportuna.

La HBM4E se basa en la cartera de memorias HBM de la compañía, con mejoras en el ancho de banda y la eficiencia energética, orientadas a las cargas de trabajo de entrenamiento e inferencia de IA. SK hynix afirmó que la nueva memoria ofrece hasta 16 Gbps por pin, a la vez que mejora la eficiencia energética en más de un 20 % en comparación con los productos de la generación anterior.

Gráfico SK hynix HBM4E

La compañía también presentó una nueva interfaz y optimizaciones de diseño destinadas a reducir la latencia en la transferencia de datos y mejorar la estabilidad en condiciones de alto ancho de banda. Estas mejoras están diseñadas para dar soporte a centros de datos de IA y plataformas informáticas a gran escala que requieren un rendimiento de memoria cada vez mayor.

El paquete HBM4E de 12 pilas alcanza una capacidad de 48 GB gracias a la tecnología de encapsulado MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) avanzada de SK hynix. MR-MUF inyecta un material de moldeo líquido entre los chips apilados para mejorar la integridad estructural y proteger los circuitos internos. Según la compañía, el diseño actualizado también mejora la resistencia al calor en un 17 % con respecto a HBM4, lo que contribuye a mantener la fiabilidad en sistemas de IA de alto rendimiento.

SK hynix afirmó que el nuevo producto aprovecha la experiencia en fabricación y empaquetado adquirida con generaciones anteriores, como HBM3, HBM3E y HBM4. La compañía prevé que HBM4E satisfaga las crecientes necesidades de ancho de banda de memoria a medida que la infraestructura de IA siga expandiéndose.

Ahn Hyun, presidente y director de desarrollo de SK hynix, afirmó que la compañía ha sentado las bases para fortalecer su liderazgo en IA con HBM4E, basándose en sus capacidades tecnológicas y experiencia en fabricación. Añadió que SK hynix colaborará estrechamente con sus socios para ofrecer el valor que el mercado necesita, al tiempo que refuerza su liderazgo tecnológico como creador de soluciones integrales de memoria para IA.

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harold fritts

He estado en la industria de la tecnología desde que IBM creó Selectric. Mi experiencia, sin embargo, es la escritura. Así que decidí dejar el negocio de preventa y volver a mis raíces, escribir un poco pero seguir involucrado en tecnología.