Toshiba Memory America, Inc. (TMA) anunció hoy que ha comenzado a probar dispositivos Universal Flash Storage (UFS) utilizando su memoria flash BiCS FLASH 64D de 3 capas. TMA afirma que estos nuevos dispositivos podrán satisfacer las demandas de rendimiento de las aplicaciones que exigen rendimiento de lectura/escritura de alta velocidad y bajo consumo de energía. Los casos de uso ideales serán en dispositivos móviles como teléfonos inteligentes y tabletas, así como en sistemas de realidad virtual/aumentada.
Toshiba lanzará cuatro capacidades: 32 GB, 64 GB, 128 GB y 256 GB. Todos los dispositivos integrarán memoria flash y un controlador en un solo paquete estándar JEDEC de 11.5x13 mm. Según la empresa, el controlador realiza la corrección de errores, la nivelación del desgaste, la traducción de direcciones lógicas a físicas y la gestión de bloques defectuosos, lo que permite a los usuarios simplificar el desarrollo del sistema.
Desde una perspectiva de rendimiento, Toshiba afirma cifras de 900 MB/s de lectura y 180 MB/s de escritura (para la versión de 64 GB). Continúan reclamando mejoras de rendimiento aleatorias de 200% y 185% de lectura y escritura en comparación con las generaciones anteriores, aunque no dan números. Los nuevos dispositivos también son JEDEC UFS Ver. Compatible con 2.1 (incluido HS-GEAR3), lo que les otorga una velocidad de interfaz teórica de hasta 5.8 Gbps por carril (x2 carriles = 11.6 Gbps) y, al mismo tiempo, suprime cualquier aumento en el consumo de energía. Los nuevos dispositivos UFS admiten el dúplex completo a través de su interfaz serial, lo que significa que pueden leer y escribir simultáneamente entre el procesador host y el dispositivo UFS.
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