Intel lanzó la unidad SSD NVMe P5510 en diciembre del año pasado, la primera SSD empresarial del mercado con memoria NAND TLC de 144 capas. Desde entonces, hemos analizado estas unidades exhaustivamente en nuestro laboratorio y son extremadamente populares debido a su excelente relación precio/rendimiento. Casi al mismo tiempo, Samsung lanzó su SSD PM9A3. Basada en una memoria NAND de 1xx capas menos transparente, la PM9A3 es, al igual que Intel, una solución SSD integrada verticalmente de gama alta. Dado que ambas compañías comercializan ampliamente el popular formato U.2 con una capacidad de 7.68 TB, nos propusimos enfrentar a estos gigantes para determinar quién tiene ventaja en la competencia de las SSD empresariales.
Intel P5510
El problema de comparar SSD es que los proveedores enfatizan especificaciones que no siempre reflejan escenarios del mundo real. Por ejemplo, casi todas las hojas de especificaciones están hechas para una sola unidad, en muy buenas condiciones de funcionamiento.
En este caso, vemos estadísticas de alto nivel como 900,000 6,500 IOPS de lectura aleatoria y lecturas secuenciales de hasta 9 MB/s del PM3A5510. En cuanto a Intel, el P930,000 reclama 7000 XNUMX IOPS y XNUMX MB/s de ancho de banda. Si bien son llamativos, estos números no nos dan una imagen completa.
Samsung PM9A3
Lo que hemos hecho para tratar de obtener una visión más profunda del rendimiento es tomar ocho SSD de cada uno y colocarlos en un servidor líder en la industria para un análisis más profundo. Nuestro énfasis en las pruebas se centra en cargas de trabajo mixtas, ya que los SSD empresariales rara vez se dividen en una sola carga de trabajo. También evaluamos un escenario vecino ruidoso con múltiples espacios de nombres y, por último, observamos cómo funcionan las unidades bajo una gran presión de escritura.
Sin embargo, antes de ir demasiado lejos, establezcamos el escenario en términos de dónde se ubican estas unidades. Ambos se ofrecen en los principales factores de forma U.2. Samsung ofrece el PM9A3 adicionalmente como E1.S, E1.L y U.3. El PM9A3 también viene en un factor de forma M.2, aunque con un perfil de rendimiento muy reducido ya que el factor de forma M.2 tiene una envolvente de potencia mucho más baja. Intel ofrece el P4510 en el factor de forma de regla corta, es razonable que también ofrezcan el P5510 de esa manera.
En cuanto a la capacidad, Intel optó por las capacidades principales de 3.84 TB y 7.68 TB. Samsung ha adoptado un enfoque más amplio al agregar capacidades de 960 GB, 1.92 TB y 15.36 TB, aunque no todas están disponibles en todos los factores de forma.
El último factor importante a tener en cuenta es la resistencia. Tanto el P5510 como el PM9A3 tienen una clasificación de escritura de una unidad por día, lo que los coloca en lo que se ha convertido en la categoría principal de cargas de trabajo mixtas. Cuando se trata de garantía, Intel ofrece una garantía de cinco años, mientras que Samsung ofrece una garantía de tres años. En realidad, esto es muy importante, ya que significa que Intel tiene una mayor resistencia efectiva, ya que ofrece 1DWPD durante dos años más.
Rendimiento de Intel P5510 frente a Samsung PM9A3
Para esta comparación, seleccionamos un Dell PowerEdge R750 , que admite ocho SSD NVMe en esta configuración. Ambos lotes de SSD se probaron de forma idéntica en el mismo servidor.
Las especificaciones de alto nivel incluyen:
- 2 x Intel escalable Gen3 8380
- 32 memorias DDR32 de 4 GB a 3200 MHz
- Ubuntu 20.04.2 Live Server (cargas de trabajo sintéticas)
- VMware ESXi 7.0u2 (cargas de trabajo de aplicaciones)
- 8 bahías PCI Gen4 U.2 NVMe
Los puntos de referencia se realizaron utilizando VDbench y FIO para puntos de referencia sintéticos, así como Percona Sysbench y Benchmark Factory para SQL Server.
VDbench : Cada grupo de 8 SSD NVMe se borra de forma segura, luego se escribe en toda la superficie del disco con una operación de escritura de 64 KB, seguida de una carga de trabajo de preacondicionamiento secuencial de 64 KB durante una hora. Una vez finalizado esto, a cada unidad se le asigna una partición del 25 % de la superficie del disco (partición de 2 TB para un SSD de 8 TB).
Luego nos enfocamos en un grupo de perfiles de carga de trabajo comunes, que consta de cargas de trabajo de lectura y escritura aleatorias, así como cargas de trabajo mixtas comunes. También utilizamos nuestros patrones de E/S diseñados para replicar cargas de trabajo de SQL, Oracle y VDI. Antes de que comenzaran los patrones de E/S aleatorios, realizamos 1 hora adicional de actividad de escritura aleatoria de 4K.
Perfiles de carga de trabajo
- Lectura y escritura aleatoria 4K
- 4K Aleatorio 70/30
- 8K Aleatorio 70/30
- 16K Aleatorio 70/30
- Base de datos sintética: SQL y Oracle
- Trazas de clones vinculados y clones completos de VDI
Comenzando con una carga de trabajo de lectura aleatoria de 4K, medimos el rendimiento del grupo de ocho SSD Intel P5510 que van desde 669 70 IOPS a una latencia de 6.67 microsegundos, hasta un máximo de 151 millones de IOPS a 9 microsegundos. En comparación, el Samsung PM3A581 se quedó atrás, ya que midió 75 5.76 IOPS a 173 microsegundos al principio, antes de alcanzar un máximo de XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
En la carga de trabajo 4K de escritura aleatoria, el Samsung PM9A3 tuvo la ventaja en el rendimiento de escritura, midiendo 404K IOPS a 16 microsegundos de latencia, y alcanzó un máximo de 4.03 millones de IOPS a 239 microsegundos. El Intel P5510 vino con 362 18 IOPS a 3.5 microsegundos al principio y se escaló hasta 235 millones de IOPS a XNUMX microsegundos de latencia a medida que aumentaba la carga de trabajo.
Las cargas de trabajo puras de lectura o escritura generalmente no muestran la imagen completa de un SSD, que es donde las cargas de trabajo mixtas ayudan a mostrar una mejor imagen en condiciones más realistas. En esta carga de trabajo de 4K con una mezcla de lectura del 70 %, el rendimiento de Intel P5510 escaló desde 392 57 IOPS a 4 microsegundos al principio antes de alcanzar un máximo de 116 millones de IOPS a 9 microsegundos. El Samsung PM3A393 comenzó con 60 3.91 IOPS a 129 microsegundos y se amplió hasta XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
Al aumentar el tamaño de bloque a 8K con la misma combinación de lectura del 70 %, el Intel P5510 mostró una mayor dispersión del Samsung PM9A3. Aquí, el Intel P5510 midió 247 70 IOPS a 2.57 microsegundos al principio, escalando hasta 188 millones de IOPS a 9 microsegundos. El Samsung PM3A215 comenzó con 68 2.18 IOPS a 216 microsegundos y aumentó hasta XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
Pasando a una carga de trabajo de lectura aleatoria del 16% de 70K aún mayor, la propagación siguió creciendo entre las unidades Intel y Samsung. Intel comenzó con una latencia mucho más alta a 142 87 IOPS a 1.49 microsegundos, antes de aumentar a 312 millones de IOPS a 9 microsegundos. En comparación, el Samsung PM3A115 comenzó con 76 1.17 IOPS a 359 microsegundos, antes de alcanzar un máximo de XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
En nuestra carga de trabajo sintética de SQL, nuevamente cambiamos a un perfil de datos mixto. Intel P5510 escaló desde 225 79 IOPS en 2.30 microsegundos hasta 110 millones de IOPS en 9 microsegundos. El Samsung PM3A230 varió desde 80 2.25 IOPS a 109 microsegundos hasta XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
Con la carga de trabajo de SQL en un perfil de lectura del 80 %, vimos el rango de Intel P5510 desde 214 69 IOPS a 2.14 microsegundos hasta 117 millones de IOPS a 9 microsegundos en su punto máximo. El Samsung PM3A207 comenzó con 71 2.04 IOPS a 117 microsegundos y aumentó hasta XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
Nuestra última carga de trabajo de SQL pasa a un perfil de lectura del 90 % con menos actividad de escritura. Aquí, el Intel P5510 comenzó con 220 74 IOPS a 2.27 microsegundos y se amplió hasta 111 millones de IOPS a 9 microsegundos. El Samsung PM3A226 osciló entre 76 2.20 IOPS a 109 microsegundos y superó los XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos, un cabello por debajo de la SSD de Intel.
En la carga de trabajo sintética de Oracle, el Intel P5510 todavía mantuvo una ligera ventaja sobre el Samsung PM9A3. Aquí vimos que el Intel P5510 comenzaba con 210 69 IOPS a 2.08 microsegundos y alcanzaba un máximo de 120 millones de IOPS a 9 microsegundos. El Samsung PM3A191, en comparación, osciló entre 71 1.91 IOPS a 121 microsegundos y aumentó hasta XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
Con una mezcla de escritura más pesada en nuestro perfil de base de datos sintética de Oracle con una mezcla de lectura del 80 %, vimos otro cruce entre los dos modelos de SSD. Intel P5510 escaló desde 175 67 IOPS a 1.76 microsegundos hasta 98 millones de IOPS a 9 microsegundos. El Samsung PM3A179 comenzó con 70 1.76 IOPS a 96 microsegundos y subió a XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
Nuestro último perfil de base de datos sintética de Oracle pasa a una mezcla de lectura del 90 %. Aquí, el Intel P5510 comienza con 180 72 IOPS a 1.81 microsegundos y escala hasta 96 millones de IOPS a 9 microsegundos. El Samsung PM3A183, que estaba en la cola de Intel, comenzó con 75 1.80 IOPS a 95 microsegundos y alcanzó un máximo de XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
A medida que avanzamos hacia el final de nuestras cargas de trabajo de Vdbench, nuestros últimos seis perfiles giran en torno a los perfiles de VDI que cubren el inicio, el inicio de sesión inicial y el inicio de sesión de lunes para los escenarios de clonación completa y clonación vinculada.
En nuestro perfil de arranque de clon completo, Intel P5510 escaló desde 169 85 IOPS a 1.72 microsegundos hasta 147 millones de IOPS a 9 microsegundos. El Samsung PM3A163 comenzó con 82 1.62 IOPS a 143 microsegundos y aumentó hasta XNUMX millones de IOPS a XNUMX microsegundos.
Nuestro próximo perfil de clon completo cubre un caso de uso de inicio de sesión inicial. Aquí, el Intel P5510 escaló desde 90 50 IOPS a 900 microsegundos hasta 176 9 IOPS a 3 microsegundos. En comparación, el Samsung PM88A47 comenzó con 879 208 IOPS a los XNUMX microsegundos y alcanzó un máximo de XNUMX XNUMX IOPS a los XNUMX microsegundos.
Nuestro último perfil VDI de clon completo cubre un escenario de inicio de sesión de lunes. Aquí, el Intel P5510 comenzó con una latencia más alta que el Samsung con 66 77 IOPS a 677 microsegundos y alcanzó un máximo de 147 9 IOPS a 3 microsegundos. El Samsung PM59A65 varió desde 597 161 IOPS a XNUMX microsegundos hasta XNUMX XNUMX IOPS a XNUMX microsegundos.
Cambiando a nuestros perfiles VDI de clones vinculados, el primero es Boot. El Samsung PM9A3 tuvo una clara ventaja en esta prueba, donde escaló desde 78 102 IOPS a 757 microsegundos antes de alcanzar un máximo de 137 5510 IOPS a 59 microsegundos. El Intel P147 varió desde 584 181 IOPS a XNUMX microsegundos hasta XNUMX XNUMX IOPS a XNUMX microsegundos.
En la carga de trabajo de inicio de sesión inicial de clones vinculados, la brecha entre los dos SSD se redujo. El Samsung PM9A3 comenzó con 36 74 IOPS a los 362 microsegundos y alcanzó un máximo de 129 5510 IOPS a los 36 microsegundos. El Intel P87 comenzó con 339 139 IOPS a XNUMX microsegundos y escaló hasta XNUMX XNUMX IOPS a XNUMX microsegundos.
Nuestro último perfil de carga de trabajo de Vdbench cubre el perfil de inicio de sesión de lunes de VDI de clones vinculados. El Intel P5510 comenzó con 50.4K IOPS a 91 microsegundos y alcanzó su punto máximo con 506K IOPS a 194 microsegundos. El Samsung PM9A3 comenzó con 44.4K IOPS a 76 microsegundos y alcanzó un máximo de 464K IOPS a 208 microsegundos.
Prueba de presión de escritura FIO
Las cargas de trabajo de almacenamiento se están volviendo más complejas a medida que los SSD se mantienen al día con las solicitudes simultáneas de lectura/escritura en un nivel máximo de uso. La capacidad de dar servicio a un IO bajo presión de escritura simultánea se vuelve más interesante que hacer lecturas donde no hay escrituras. Los proveedores pueden mantener la actividad de fondo lo suficientemente baja como para mostrar un "punto de referencia" como respuesta de lectura en condiciones de descarga. Pero no es así como funciona IO en el mundo real.
Esta carga de trabajo también demuestra cómo la SSD en su firmware central y el nivel de componente NAND pueden pausar o realizar escrituras y priorizar la lectura. La prioridad de lectura puede impulsar el requisito de SLA para ciertas ofertas de aplicaciones. Por lo tanto, la motivación de una prueba de presión de escritura está impulsada por la necesidad de probar tanto el IO simultáneo como la resiliencia y la QoS de un producto SSD.
En nuestra prueba de presión de escritura, ejecutamos la carga de trabajo en ocho unidades en los grupos de prueba Intel P5510 y Samsung PM9A3. Al probar dispositivos flash, hemos visto en muchos casos que las pruebas de unidades individuales no siempre reflejan cómo puede responder esa unidad en un sistema más activo. Para mostrar cómo se reflejó el rendimiento, extrajimos los resultados de dos unidades en cada grupo, que en este caso corresponden a las unidades uno y cinco en cada grupo de prueba.
La primera métrica que observamos en este caso es cómo se compara la latencia de finalización promedio entre Intel P5510 y Samsung PM9A3 con una carga de trabajo de presión de escritura que se aplica desde un nivel de 10 MB/s a 700 MB/s. Las dos muestras de Intel SSD comenzaron con una latencia de finalización (CLAT) de 78 microsegundos y aumentaron a 211 microsegundos a un nivel de 700 MB/s. En comparación, el Samsung PM9A3 comenzó en 82 microsegundos y aumentó hasta 251 microsegundos a 700 MB/s. A 800 MB/s, el P5510 tenía una ventaja de 108 microsegundos sobre el PM9A3.
El siguiente enfoque se mueve a la latencia del percentil 99, que pinta una mejor imagen del margen superior de los tiempos de respuesta. Vemos que Intel P5510 tiene un tiempo de respuesta ligeramente más alto, comenzando en 388 microsegundos a 10 MB/s, pero cae por debajo del Samsung PM9A3 a 110 MB/s, continuando hasta 709 microsegundos a una velocidad de datos solicitada de 700 MB/s. El Samsung PM9A3 comienza en 151 microsegundos a 10 MB/s y escala hasta 930 microsegundos a 700 MB/s solicitados. A 800 MB/s, el P5510 ofreció una mejora de 196 microsegundos sobre el PM9A3.
Prueba de vecino ruidoso FIO
Tradicionalmente, para ver cómo funcionan los SSD bajo diferentes cargas de trabajo simultáneas, aplica cargas de trabajo de lectura y escritura al dispositivo al mismo tiempo. Estas cargas de trabajo también pueden incluir diferentes tamaños de bloques y otros elementos. Los SSD NVMe incorporaron un nuevo concepto a la combinación en el que pueden ofrecer aprovisionamiento de espacios de nombres de múltiples inquilinos, en lugar de particiones comunes.
En una situación en la que varios arrendatarios utilizan sus espacios de nombres aprovisionados con diferentes cargas de trabajo, es importante que la latencia no aumente hasta el punto de que el almacenamiento ya no responda a cada arrendatario. En la prueba de vecino ruidoso, aplicamos cargas de trabajo de escritura mixtas a tres de los seis espacios de nombres aprovisionados y rastreamos la latencia de lectura de los tres espacios de nombres restantes para ver cómo cada unidad maneja la actividad simultánea de escritura y lectura.
Al comparar el Intel P5510 con el Samsung PM9A3, vemos que el SSD de Intel tiene una ventaja sobre el SSD de Samsung en términos de latencia, desde una finalización promedio hasta 4 9 de tiempos de respuesta de latencia. Al comparar las latencias de finalización de las cargas de trabajo de carga de trabajo de lectura NS4, NS5 y NS6, vemos que Intel P5510 mide 132, 141 y 162 microsegundos, respectivamente. Esto contrasta con el Samsung PM9A3 que midió 136, 145 y 168 microsegundos para sus respectivas cargas de trabajo de espacio de nombres.
Subiendo al puesto 99, medimos el Intel P5510 a 469, 482 y 502 microsegundos para NS4, NS5 y NS6, en comparación con el Samsung PM9A3 a 523, 545 y 594 microsegundos. En el puesto 99.9, el Intel P5510 mide 652, 660 y 685 microsegundos, frente al Samsung PM9A3 con 816, 832 y 881 microsegundos. En el puesto 99.99, Intel todavía tiene una sólida ventaja con 816, 832 y 848 microsegundos frente al Samsung PM9A3 con 1020, 1037 y 1090 microsegundos.
Rendimiento de SQL Server
El protocolo de prueba OLTP de Microsoft SQL Server de StorageReview emplea el borrador actual del Benchmark C (TPC-C) del Transaction Processing Performance Council, un benchmark de procesamiento de transacciones en línea que simula las actividades que se encuentran en entornos de aplicaciones complejos. El punto de referencia TPC-C se acerca más que los puntos de referencia de rendimiento sintéticos para medir las fortalezas de rendimiento y los cuellos de botella de la infraestructura de almacenamiento en entornos de bases de datos.
Cada máquina virtual con SQL Server está configurada con dos discos virtuales: un volumen de 100 GB para el arranque y un volumen de 500 GB para la base de datos y los archivos de registro. Desde la perspectiva de los recursos del sistema, configuramos cada VM con 16 vCPU, 64 GB de DRAM y aprovechamos el controlador LSI Logic SAS SCSI. Si bien nuestras cargas de trabajo de Sysbench probadas anteriormente saturaron la plataforma tanto en E/S de almacenamiento como en capacidad, la prueba de SQL busca el rendimiento de la latencia.
Configuración de prueba de SQL Server (por VM)
- Windows Server 2012 R2
- Huella de almacenamiento: 600 GB asignados, 500 GB utilizados
- SQL Server 2014
- Tamaño de la base de datos: escala 1,500
- Carga de clientes virtuales: 15,000
- Búfer RAM: 48GB
- Duración de la prueba: 3 horas
- 2.5 horas de preacondicionamiento
- Período de muestra de 30 minutos
Al centrarse en la latencia de lectura promedio en nuestra carga de trabajo TPC-C de SQL Server en una carga de 8 VM (1 VM por SSD), tanto Intel P5510 como Samsung PM9A3 maximizaron la carga de trabajo con un tiempo de respuesta de 1.0 ms.
Rendimiento Sysbench MySQL
Nuestra prueba de Sysbench aprovecha un Percona para impulsar la E/S a una base de datos MySQL OLTP. Esta prueba mide el promedio de TPS (transacciones por segundo), la latencia promedio y también la latencia promedio del percentil 99.
Cada máquina virtual de Sysbench está configurada con tres discos virtuales: uno para arranque (~92 GB), uno con la base de datos preconstruida (~447 GB) y el tercero para la base de datos bajo prueba (270 GB). Desde la perspectiva de los recursos del sistema, configuramos cada VM con 16 vCPU, 60 GB de DRAM y aprovechamos el controlador LSI Logic SAS SCSI.
Configuración de prueba de Sysbench (por VM)
- CentOS 6.3 de 64 bits
- Percona XtraDB 5.5.30-rel30.1
- Tablas de base de datos: 100
- Tamaño de la base de datos: 10,000,000
- Subprocesos de la base de datos: 32
- Búfer RAM: 24GB
- Duración de la prueba: 3 horas
- 2 horas preacondicionamiento 32 hilos
- 1 hora 32 hilos
Con una carga de 16 VM (2 VM por SSD), medimos 38,838 5510 TPS del grupo de ocho SSD Intel P9, mientras que el grupo Samsung PM3A38,717 midió 8 1 TPS. Esta carga de trabajo también saturó las CPU en la plataforma de prueba. Al reducir la carga a 5510 VM o 30,337 por SSD, el grupo Intel P9 midió 3 29,438 TPS mientras que el grupo Samsung PMXNUMXAXNUMX midió XNUMX XNUMX TPS.
Al comparar la latencia promedio para cada grupo de 8 SSD NVMe, medimos la carga de trabajo Intel P5510 16VM en 13.18 ms y la carga de trabajo 8VM en 8.44 ms. El grupo Samsung PM9A3 midió 13.23 ms a 16 VM y 8.69 ms a 8 VM.
En nuestra carga de trabajo final centrada en la latencia del percentil 99 en Sysbench, medimos el grupo de SSD Intel P5510 en 25.35 ms con 16 VM y 14.50 ms con una carga de trabajo de 8 VM. Esto contrastaba con los SSD Samsung PM9A3 que medían 26.21 ms a 16 VM y 14.74 ms a 8 VM.
Conclusión
Este ejercicio es bastante interesante. Partimos de la premisa de que las especificaciones técnicas de una sola unidad SSD empresarial no son muy útiles. Suelen centrarse en el rendimiento máximo para una carga de trabajo muy pequeña y específica. Sin embargo, en el entorno empresarial, salvo en servidores blade con dos unidades , los sistemas utilizan múltiples unidades SSD y, si bien el ancho de banda es relevante, la latencia es crucial. A medida que avanzamos en este extenso y, en ocasiones, extremadamente intensivo plan de pruebas, el impacto de la latencia se hace evidente. En la práctica, esto podría marcar la diferencia en la cantidad de máquinas virtuales que un sistema host puede soportar o en la capacidad de respuesta de una aplicación para los usuarios finales.
Mirando el rendimiento real en todos los ámbitos, Intel P5510 y Samsung PM9A3 pintan una imagen interesante. En los puntos de referencia sintéticos, el Intel P5510 tuvo la ventaja en la mayoría de las cargas de trabajo que se centraron en perfiles de datos mixtos, con una brecha cada vez mayor a medida que la carga de trabajo se inclinaba más hacia la escritura. También tuvo una ventaja al aumentar el tamaño de los bloques, donde vemos que su ventaja creciente se mueve de tamaños de transferencia de 4K a 8K a 16K.
Si bien el enfoque en el rendimiento bruto es una cosa, la latencia es otra parte de la historia. Aquí es donde observamos la latencia bajo una prueba de presión de escritura. Aquí, el Intel P5510 mostró una ventaja con respecto a la latencia, ya que la carga de trabajo de escritura aplicada aumentó en incrementos de 10 MB/s hasta 850 MB/s. Hacia el rango superior de esa prueba a 800 MB/s, el Intel P5510 tenía una ventaja de 108 microsegundos sobre el Samsung PM9A3 en latencia de finalización y una ventaja de 196.5 microsegundos en el percentil 99 de latencia.
Nuestra última prueba midió el rendimiento de las SSD bajo una carga de trabajo vecina ruidosa, con tres espacios de nombres bajo una carga de trabajo de escritura y tres con cargas de trabajo de lectura. El P5510 continuó manteniendo una latencia de lectura más baja, con una brecha cada vez mayor a medida que buscaba hasta cuatro 9 de capacidad de respuesta de latencia.
Pasando a nuestra carga de trabajo de aplicaciones en el grupo de 8 SSD Intel P5510 y Samsung PM9A3, ambas unidades pudieron saturar nuestra prueba de SQL Server hasta 1 ms de tiempo de respuesta total. Sin embargo, en Sysbench, mientras las CPU se utilizaban por completo, el P5510 mantuvo la ventaja sobre el PM9A3 en cargas de trabajo de 8VM y 16VM.
En general, es bastante la batalla entre las dos unidades. Y cuando solo observa los números de la hoja de especificaciones, las unidades son bastante similares. Pero en esta prueba, las unidades Intel mostraron consistentemente una mejor latencia en las situaciones más exigentes. Combine eso con los dos años adicionales de garantía y el P5510 ofrece un paquete bastante atractivo.
Página del producto Intel P5510
Documento técnico de Samsung PM9A3
Este informe está patrocinado por Intel Corporation. Todos los puntos de vista y opiniones expresados en este informe se basan en nuestra visión imparcial de los productos bajo consideración.
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