Samsung ha anunciado que comenzará la producción en masa de la primera memoria DDR4 con interconexión a través de silicio (TSV) de la industria en módulos de 128 GB para servidores empresariales y centros de datos. Además, la nueva tecnología TSV RDIMM de Samsung abre el camino a la memoria de ultra alta capacidad a nivel empresarial. El nuevo módulo TSV DRAM se promociona como el de mayor capacidad y mayor eficiencia energética de cualquier módulo DRAM disponible actualmente, todo ello con un rendimiento a altas velocidades y un enfoque en la fiabilidad. El TSV DDR4 RDIMM de 128 GB está equipado con 144 chips DDR4 organizados en 36 paquetes DRAM de 4 GB, cada uno de los cuales contiene cuatro chips de 8 Gb basados en 20 nm ensamblados con tecnología de empaquetado TSV avanzada. La semana pasada, la compañía anunció una asociación con Netlist para producir una nueva clase de solución de memoria , NVDIMM-P (NV-P).
Mientras que los paquetes de chips tradicionales interconectan las pilas de troqueles a través de la unión de cables, los paquetes TSV usan troqueles de chip que se muelen a solo micrómetros y luego se perforan con cientos de orificios finos y se conectan verticalmente mediante electrodos que pasan a través de los orificios. Esto permite un aumento sustancial en la transmisión de la señal. Además, el nuevo módulo TSV DDR128 de 4 GB de Samsung se compone de un diseño único en el que el chip maestro de cada paquete de 4 GB incorpora la función de búfer de datos para optimizar el rendimiento del módulo y la eficiencia energética. Esto crea una solución de bajo consumo para servidores de próxima generación, así como velocidades de hasta 2,400 Mbps. Samsung indica que este número es casi el doble del rendimiento y un 50 % más eficiente desde el punto de vista energético en comparación con los LRDIMM de 64 GB. Además, la DRAM TSV de Samsung incluirá módulos con velocidades de transferencia de datos superiores a 2,667 Mbps y 3,200 Mbps, diseñados para intensificar las necesidades de los servidores empresariales.
Samsung planea ofrecer una línea completa de sus nuevos módulos DRAM TSV de alto rendimiento en las próximas semanas, incluidos los LRDIMM de 128 GB. La compañía también planea expandir las aplicaciones TSV a memoria de alto ancho de banda (HBM) y productos de consumo.
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