Poco dopo aver annunciato la produzione di moduli DRAM da 4 GB , Samsung ha avviato la produzione in serie di memorie embedded da 256 gigabyte basate sullo standard Universal Flash Storage (UFS) 2.0 per dispositivi mobili di fascia alta di nuova generazione, un'altra novità assoluta nel settore. Samsung afferma che la sua nuova memoria embedded offrirà prestazioni eccezionali sui dispositivi mobili, superando quelle di un tipico SSD SATA per PC.
La nuova memoria incorporata da 256 GB utilizza i chip di memoria flash V-NAND più avanzati di Samsung, nonché un controller ad alte prestazioni appositamente progettato. Inoltre, poiché è basata sullo standard UFS 2.0, può gestire fino a 45,000 e 40,000 IOPS rispettivamente per lettura e scrittura casuale, ovvero più di due volte più veloce dei 19,000 e 14,000 IOPS della precedente generazione di memoria UFS.
L’UFS da 256 GB di Samsung sfrutta anche due corsie di trasferimento dati, che sono in grado di vantare 850 MB/s in lettura sequenziale mentre raggiungono 260 MB/s in scrittura. Samsung aggiunge che ciò consentirà alla memoria UFS da 256 GB di supportare la riproduzione video Ultra HD senza soluzione di continuità e funzionalità multitasking su dispositivi mobili a grande schermo, inclusa la riproduzione di film Ultra HD 4K su uno schermo diviso durante la ricerca di file di immagini o il download di clip video. L’utilizzo della tecnologia di memoria avanzata di Samsung consente inoltre ai nuovi chip di memoria UFS di essere estremamente compatti e persino più piccoli di una scheda micro SD.
Samsung prevede di estendere la propria linea di storage premium basata sulla sua memoria flash V-NAND avanzata (inclusa la nuova UFS da 256 GB) e intende aumentare il volume di produzione in base alla domanda globale.
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