지난 주 중국 베이징에서 열린 인텔 기술 및 제조의 날에서 이 회사는 일부 신기술에 대한 업데이트를 발표했습니다. 전시된 신기술 중 일부에는 Intel의 10nm 프로세스에 대한 전력 및 성능 업데이트, Intel의 첫 번째 10nm FPGA에 대한 높은 수준의 계획, 회사가 데이터 센터 애플리케이션을 위해 업계 최초로 상업적으로 사용할 수 있는 64단 3D NAND를 출하한다는 발표가 포함되었습니다.
인텔은 무어의 법칙에 따라 제조 공정을 발전시켰습니다. 기본적으로 그들은 매년 더 나은 성능/기능을 가진 더 저렴한 제품을 만들려고 합니다. 인텔은 새로운 기술을 공개하면서 혜택을 누리는 동시에 무어의 법칙을 계속해서 추진할 계획입니다.
인텔은 트랜지스터 밀도와 트랜지스터 성능 면에서 다른 10nm 기술보다 한 세대 앞서 있다고 밝혔습니다. 세계에서 가장 조밀한 트랜지스터와 금속 피치를 자랑하는 Intel의 10nm 기술은 업계 최고 밀도를 위해 하이퍼 스케일링으로 만들어졌습니다. 하이퍼 스케일링이란 회사의 2.7nm 및 14nm 공정에서 달성된 로직 트랜지스터 밀도가 10배 향상되었음을 의미합니다. 인텔은 이번 행사를 통해 자사의 "Cannon Lake" 10nm 웨이퍼를 처음으로 선보였습니다.
인텔의 모바일 애플리케이션용 저전력 FinFET 기술인 22FFL에 전력 및 성능 업데이트가 제공되었습니다. 22FFL은 누설이 2배 이상 낮은 초저전력으로 100GHz의 성능을 달성했습니다. '캐논 레이크'와 마찬가지로 22FFL도 처음으로 전시됐다.
인텔은 10nm 공정 기술과 파운드리 플랫폼을 사용하는 차세대 FPGA인 "Falcon Mesa" 기술에 대한 업데이트를 발표했습니다. 새로운 FPGA는 데이터 센터, 엔터프라이즈 및 네트워킹 환경의 증가하는 대역폭 수요를 지원하기 위해 새로운 수준의 성능을 제공할 수 있다고 주장했습니다. 기타 이점은 다음과 같습니다.
- 차세대 데이터 센터, 엔터프라이즈 및 네트워킹 환경에서 가장 까다로운 대역폭 요구 사항을 지원하는 112Gbps 직렬 트랜시버 링크입니다.
- 차세대 데이터 센터를 위한 레인당 최대 4GT/s의 데이터 속도로 PCI Express Gen16 x16 지원을 포함한 최신 주변 장치 상호 연결.
이 회사는 ARM 및 Intel Custom Foundry와의 계약을 진행 중이라고 발표했습니다. 이 계약은 Intel의 10nm 공정에서 ARM SoC의 개발 및 구현 가속화를 중심으로 이루어졌습니다. 인텔은 10GHz 이상의 성능을 가능하게 하는 산업 표준 설계 흐름으로 구현된 ARM Cortex-A75 CPU 코어가 포함된 3nm 웨이퍼에서 이 계약의 첫 번째 결과를 보여주었습니다.
마지막으로 Intel은 64월 초부터 데이터 센터 애플리케이션을 위한 업계 최초의 3단 TLC(Triple Level Cell), XNUMXD NAND SSD(솔리드 스테이트 드라이브)를 출시했다고 발표했습니다. 이 NAND는 고객이 스토리지 효율성을 크게 향상시킬 수 있도록 설계되었습니다. 이 제품은 올해 말까지 보다 광범위하게 제공될 것으로 예상됩니다. 현재는 일부 고객에게만 배송됩니다.
아마존