삼성은 엔터프라이즈 서버 및 데이터 센터 애플리케이션용으로 설계된 3D V-NAND 기술을 기반으로 하는 최초의 SSD를 발표합니다. 이 발표는 우리가 참여하고 있는 Flash Memory Summit에서 이루어졌습니다. 새로운 V-NAND SSD는 960GB 및 480GB 용량으로 배송됩니다. 960GB V-NAND SSD는 SATA 6Gb/s를 통해 인터페이스하고 64Gb 스토리지에서 MLC 3D V-NAND 플래시의 128다이를 활용하여 순차 및 임의 쓰기 속도를 20% 이상 향상시킵니다. 아마도 새로운 기술을 채택하는 조직에게 훨씬 더 중요한 것은 새로운 V-NAND SSD가 35K 프로그램 삭제 주기를 제공한다는 것입니다.
최근 삼성에서 3D V-NAND 기술을 발표했을 당시 보도 에서 언급했듯이 , 이 기술은 평면 셀 레이어를 수직으로 쌓아 3D 구조를 만드는 방식으로 구현됩니다. 3D 셀 어레이는 원통형 3D 전하 트랩 플래시(CTF) 셀 구조와 수직 인터커넥트 공정 기술로 연결된 24개의 레이어로 구성됩니다. 그 결과, 삼성의 3D V-NAND는 20~30nm 평면 NAND 플래시 대비 제조 생산성을 2배 향상시킵니다. V-NAND SSD는 2.5인치 폼팩터에 다양한 높이로 출시됩니다. 높이는 x, y, z축 방향으로 각각 10cm, 7cm, 7mm로 제공되어 서버 제조업체에 더 큰 유연성을 제공합니다.
삼성은 최근 V-NAND SSD 생산을 시작했다고 발표했습니다.
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