삼성은 기업용 서버 및 데이터 센터를 위한 업계 최초의 TSV( Through Silicon Via ) DDR4 메모리 128GB 모듈을 양산한다고 발표했습니다 . 삼성의 새로운 TSV RDIMM 기술은 기업 수준에서 초고용량 메모리 구현의 길을 열어줍니다. 새로운 TSV DRAM 모듈은 현재 시판되는 모든 DRAM 모듈 중 최대 용량과 최고 수준의 에너지 효율을 자랑하며, 고속 성능과 뛰어난 신뢰성을 동시에 제공합니다. 128GB TSV DDR4 RDIMM은 36개의 4GB DRAM 패키지에 144개의 DDR4 칩이 탑재되어 있으며, 각 패키지에는 첨단 TSV 패키징 기술로 조립된 20nm 기반 8Gb 칩 4개가 포함되어 있습니다. 지난주 삼성은 Netlist와 협력하여 새로운 메모리 솔루션 인 NVDIMM-P(NV-P)를 개발한다고 발표한 바 있습니다.
전통적인 칩 패키지가 와이어 본딩을 통해 다이 스택을 상호 연결하는 반면, TSV 패키지는 마이크로미터로 연마된 다음 수백 개의 미세한 구멍으로 뚫고 구멍을 통과하는 전극으로 수직으로 연결된 칩 다이를 사용합니다. 이를 통해 신호 전송이 크게 증가합니다. 또한 삼성의 새로운 128GB TSV DDR4 모듈은 각 4GB 패키지의 마스터 칩에 데이터 버퍼 기능을 내장하여 모듈 성능과 전력 효율성을 최적화하는 독특한 디자인으로 구성되어 있습니다. 이것은 차세대 서버를 위한 저전력 솔루션과 최대 2,400Mbps의 속도를 생성합니다. 삼성은 이 수치가 50GB LRDIMM에 비해 성능이 거의 두 배이고 전력 효율이 64% 더 높다고 밝혔습니다. 또한 삼성의 TSV DRAM에는 데이터 전송 속도가 2,667Mbps 및 3,200Mbps 이상인 모듈이 포함되어 엔터프라이즈 서버 요구 사항을 강화하도록 설계되었습니다.
삼성은 앞으로 몇 주 안에 128GB LRDIMM을 포함하여 새로운 고성능 TSV DRAM 모듈의 전체 라인업을 제공할 계획입니다. 회사는 또한 TSV 애플리케이션을 고대역폭 메모리(HBM) 및 소비자 제품으로 확장할 계획입니다.
아마존