SK 하이닉스는 DDR5 MCR(Multiplexer Combined Ranks) 듀얼 인라인 메모리 모듈의 작업 샘플을 개발 중이라고 발표했습니다. 세계에서 가장 빠른 서버 DRAM으로 불리는 DDR5 MCR은 최소 8Gbps의 데이터 속도를 제공하는 것으로 인용되어 현재의 80Gbps DDR4.8 제품보다 최소 5% 더 빠릅니다.
초기 개발 과정에서 SK 하이닉스 엔지니어들은 DDR5 작동 속도가 DRAM 자체에 의존한다는 개념에 도전하면서 모듈의 속도를 향상시킬 수 있는 방법을 찾고자 했습니다. Intel의 MCR 기술을 기반으로 MCR DIMM에 설치된 데이터 버퍼를 활용하여 두 랭크의 동시 작동을 가능하게 함으로써 이를 달성했습니다.
즉, MCR DIMM은 한 번에 128바이트의 데이터를 CPU로 전송할 수 있으며, 이는 기존 DRAM 모듈에서 가져올 수 있는 허용된 64바이트의 두 배입니다. 이러한 증가는 단일 DRAM보다 8배 빠른 최소 XNUMXGbps의 데이터 전송 속도를 지원합니다.
SK하이닉스는 이번 혁신이 인텔, 일본 반도체 제조사 르네사스와의 협력으로 가능했다고 말한다. 특히 모듈 설계 기능을 Intel의 Xeon 프로세서 및 Renesas의 버퍼 기술과 결합했습니다. MCR DIMM의 안정적인 성능을 보장하기 위해 SK하이닉스는 데이터 버퍼와 프로세서(모듈 내부 및 외부) 간의 원활한 상호 작용을 보장해야 했습니다. 그럼에도 불구하고 제품 설계부터 검증에 이르기까지 MCR DIMM을 개발하는 전 과정에서 모두가 함께 노력했습니다.
이용 가능 여부 (Availability)
SK 하이닉스는 제품을 양산할 시기를 밝히지 않습니다. 그러나 그들은 MCR DIMM 시장이 결국 그렇게 할 만큼 충분히 확장될 것으로 예상하며, 이는 고성능 컴퓨팅에 의해 주도될 것입니다.
아마존