Kort na de aankondiging van de productie van 4GB DRAM-pakketten is Samsung nu begonnen met de massaproductie van 256 gigabyte ingebouwd geheugen op basis van de Universal Flash Storage (UFS) 2.0-standaard voor de volgende generatie high-end mobiele apparaten, wederom een primeur in de branche. Samsung geeft aan dat hun nieuwe ingebouwde geheugen uitstekende prestaties zal leveren op mobiele apparaten en die van een typische SATA-gebaseerde SSD voor pc's zal overtreffen.
Het nieuwe ingebouwde geheugen van 256 GB maakt gebruik van de meest geavanceerde V-NAND-flashgeheugenchips van Samsung en een speciaal ontworpen krachtige controller. Bovendien kan het, omdat het is gebaseerd op de UFS 2.0-standaard, tot 45,000 en 40,000 IOPS aan voor respectievelijk willekeurig lezen en schrijven, wat meer dan twee keer sneller is dan de 19,000 en 14,000 IOPS van de vorige generatie UFS-geheugen.
De 256 GB UFS van Samsung maakt ook gebruik van twee rijstroken voor gegevensoverdracht, die in staat is om 850 MB/s sequentieel te lezen en 260 MB/s te halen bij schrijven. Samsung voegt eraan toe dat hierdoor het 256 GB UFS-geheugen naadloze Ultra HD-videoweergave en multitasking-functionaliteit op mobiele apparaten met een groot scherm kan ondersteunen, waaronder het afspelen van 4K Ultra HD-films op een gesplitst scherm tijdens het zoeken naar beeldbestanden of het downloaden van videoclips. Door gebruik te maken van de geavanceerde geheugentechnologie van Samsung kunnen de nieuwe UFS-geheugenchips zeer compact zijn en zelfs kleiner dan een micro SD-kaart.
Samsung is van plan om hun premium storage-line-ups uit te breiden die zijn gebaseerd op het geavanceerde V-NAND-flashgeheugen (inclusief de nieuwe 256 GB UFS) en is van plan hun productievolume te verhogen in overeenstemming met de wereldwijde vraag.
Amazon