Samsung Electronics heeft aangekondigd dat het is begonnen met de massaproductie van 's werelds eerste 4GB DRAM-module op basis van de tweede generatie High Bandwidth Memory (HBM2)-interface. Deze module is ontworpen voor HPC, geavanceerde grafische toepassingen, netwerksystemen en zakelijke servers. Samsung geeft aan dat de snelheid meer dan zeven keer hoger ligt dan de huidige DRAM-prestaties, wat resulteert in een snellere respons bij veeleisende computertaken. Dit volgt op de introductie van een 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM door het bedrijf afgelopen oktober.
Afgebeeld, 128 GB 3D TSV DDR4 RDIMM
Door gebruik te maken van de meest efficiënte 20-nanometerprocestechnologie van Samsung en het geavanceerde HBM-chipontwerp, wordt het 4GB HBM2-pakket gemaakt door een bufferchip aan de onderkant te stapelen en vier 8Gb core-chips bovenop (een enkele chip bevat meer dan 5,000 TSV-gaten). Samsung legt uit dat ze vervolgens verticaal met elkaar verbonden zijn door TSV-gaten en microbumps. Het nieuwe DRAM-pakket van Samsung verdubbelt ook de bandbreedte van de vorige generatie met 256GBps. Bovendien zorgt het voor verbeterde energie-efficiëntie door de bandbreedte per watt te verdubbelen ten opzichte van een 4Gb-GDDR5-gebaseerde oplossing, terwijl ECC-functionaliteit wordt ingebed voor een hoge betrouwbaarheid.
Samsung geeft aan dat ze van plan zijn om binnen dit jaar een 8GB HBM2 DRAM-pakket te produceren, waarmee ontwerpers kunnen profiteren van een ruimtebesparing van meer dan 95 procent in vergelijking met GDDR5 DRAM. Als gevolg hiervan zullen meer optimale oplossingen mogelijk zijn voor compacte apparaten die grafische rekenmogelijkheden op hoog niveau vereisen.
Samsung voegt eraan toe dat ze het productievolume voor zijn HBM2 DRAM in de loop van 2016 geleidelijk zullen verhogen om aan de marktvraag naar netwerksystemen en servers te voldoen.
Amazon