Samsung heeft aangekondigd dat het 's werelds eerste high-bandwidth geheugenchip heeft ontwikkeld die is vervaardigd met behulp van 12-laags 3D-TSV (Through Silicon Via) technologie. High-bandwidth geheugen (HBM) wordt gebruikt in veel computercomponenten voor toepassingen in kunstmatige intelligentie en machine learning, zoals high-end grafische kaarten, FPGA's, CPU's en netwerkapparaten. Voorheen was 8 lagen het hoogst haalbare. Samsung werd opgericht in 1938 en staat bekend om zijn elektronische producten. Het bedrijf is al geruime tijd een belangrijke speler op dit gebied. Indrukwekkend is dat dit de tweede doorbraak is die het bedrijf dit jaar heeft bereikt op het gebied van HBM; afgelopen maart kondigde het de ontwikkeling aan van een HBM2E-chip met zeer hoge capaciteit, genaamd Flashbolt, met een databandbreedte van 410 GBps en 16 GB geheugen.
De nieuwe technologie van Samsung stapelt 12 DRAM-chips in dezelfde dikte van 720㎛ als hun huidige 8-laags HBM2-producten. Om deze dichtheidstoename van vijftig procent te bereiken, zijn meer dan zestigduizend TSV-gaten nodig, wat een aanzienlijke productieuitdaging vormt en Samsung is begrijpelijk terughoudend over wanneer deze nieuwe chips precies beschikbaar zullen zijn voor fabrikanten om ze in hun verwerkingschips op te nemen. Het enige dat Samsung ons tot nu toe heeft verteld, is dat ze ze binnenkort in massa kunnen produceren, wat suggereert dat ze de productielijnen nog niet eens hebben afgerond. Als fabrikanten ze eenmaal in handen hebben, zou het niet lang moeten duren voordat ze in de handen van de consument terechtkomen, aangezien ze dezelfde dikte hebben (en vermoedelijk een andere vormfactor, hoewel Samsung dat niet heeft gezegd), als de huidige generatie van HBM2-geheugen.
Dit is de tweede stap vooruit in de HBM2-productie die Samsung tot nu toe heeft gemaakt in 2019. In maart van dit jaar kondigde Samsung de ontwikkeling aan van een HBM2E-chip genaamd Flashbolt met twee keer zoveel geheugencapaciteit, 16 GB, van de chips die momenteel op de markt zijn. Door de vooruitgang die in Flashbolt wordt getoond te combineren met hun nieuwste ontwikkeling, waardoor ze de helft van het aantal lagen in dezelfde ruimte kunnen verpakken, voorspelt Samsung een aantal zeer indrukwekkende cijfers voor hun nog niet genoemde volgende geheugenchip met hoge bandbreedte. Samsung zegt dat de nieuwe chip een capaciteit van 24 GB zal hebben. Ze hebben ons nog niet verteld wat de nieuwe bandbreedte zal zijn.
Amazon