Samsung Electronics Co., Ltd. heeft de derde generatie van zijn High Bandwidth Memory 2E (HBM2E) uitgebracht, ook wel bekend als "Flashbolt". De nieuwste generatie HBM2E is 16 GB, waardoor het zeer geschikt is voor HPC-systemen, terwijl het ook helpt bij supercomputers, AI-gestuurde data-analyse en ultramoderne grafische systemen. Aquabolt zal in productie blijven terwijl deze generatie in productie is.
De vorige generatie, Aquabolt, had een capaciteit van 8GB. Flashbolt raakt 16GB door acht lagen van 10nm-klasse (1y) 16-gigabit (Gb) DRAM-chips verticaal op een bufferchip te stapelen. Bovendien is Flashbolt met elkaar verbonden in een nauwkeurige opstelling van meer dan 40,000 'through silicon via' (TSV) microbumps, waarbij elke 16Gb-chip meer dan 5,600 van deze microscopische gaatjes bevat. Wat de prestaties betreft, stelt Samsung dat de nieuwste generatie een betrouwbare gegevensoverdrachtssnelheid van 3.2 gigabit per seconde en een geheugenbandbreedte van 410 GB/s per stapel kan halen. Dit is een behoorlijke verbetering ten opzichte van de 307 GB/s van de vorige generatie.
Beschikbaarheid
Samsung verwacht in de eerste helft van 2020 met de volumeproductie te beginnen.
Amazon