Toshiba Memory America, Inc. (TMA) heeft vandaag aangekondigd dat het is begonnen met het samplen van Universal Flash Storage (UFS)-apparaten met behulp van het 64-laags BiCS FLASH 3D-flashgeheugen. TMA stelt dat deze nieuwe apparaten kunnen voldoen aan de prestatie-eisen van applicaties die snelle lees-/schrijfprestaties en een laag stroomverbruik vereisen. Ideale use-cases zijn mobiele apparaten zoals smartphones en tablets, maar ook augmented/virtual reality-systemen.
Toshiba zal vier capaciteiten vrijgeven: 32 GB, 64 GB, 128 GB en 256 GB. Alle apparaten zullen flash-geheugen en een controller integreren in een enkel, JEDEC-standaard 11.5x13 mm pakket. Volgens het bedrijf voert de controller foutcorrectie, slijtage-nivellering, logisch-naar-fysieke adresvertaling en bad-block-beheer uit, waardoor gebruikers de systeemontwikkeling kunnen vereenvoudigen.
Vanuit prestatieperspectief claimt Toshiba een leessnelheid van 900 MB/s en een schrijfsnelheid van 180 MB/s (voor de 64 GB-versie). Ze claimen vervolgens willekeurige prestatieverbeteringen van 200% en 185% lezen en schrijven ten opzichte van eerdere generaties, maar geven geen cijfers. De nieuwe apparaten zijn ook JEDEC UFS Ver. 2.1-compatibel (inclusief HS-GEAR3), waardoor ze een theoretische interfacesnelheid hebben van maximaal 5.8 Gbps per rijstrook (x2 rijstroken = 11.6 Gbps), terwijl ook een toename van het stroomverbruik wordt onderdrukt. De nieuwe UFS-apparaten ondersteunen full-duplexing via hun seriële interface, wat betekent dat ze gelijktijdig kunnen lezen en schrijven tussen de hostprocessor en het UFS-apparaat.
Amazon