美光科技和英特爾今天宣布推出新的 3D NAND 技術。 這種由兩家公司共同開發的新型閃存技術被稱為世界上密度最高的技術。 這些公司聲稱他們將能夠獲得比競爭性 NAND 技術高三倍的容量。
從消費者移動設備到企業部署，Flash 正在或已經在大多數領域得到採用。 目前業界面臨的最大問題是平面NAND正在達到其實際縮放極限。 美光和英特爾的目標是通過垂直堆疊數據存儲單元層的 3D NAND 來改變這一現狀。
英特爾和美光選擇在他們的 3D NAND 中使用業界已經使用了一段時間的浮柵單元。 這是首次將浮柵單元用於 3D NAND。 憑藉浮柵單元的良好記錄，英特爾和美光相信他們可以通過使用該技術獲得更好的性能、可靠性和更高的質量。 這種新的 3D NAND 技術允許閃存單元垂直堆疊 32 層。 這將實現 256Gb 的 MLC 裸片和 384Gb 的 TLC 裸片，兩者仍然適合標準封裝。 這種容量的增加將使 M.2 SSD 的總存儲容量達到 3.5TB 或更多，標準 2.5" SSD 的總存儲容量將達到 10TB 或更多。這種容量的增加將使閃存對數據中心更具吸引力需要在一定密度內適合存儲。
主要功能包括：
- 大容量——是現有 3D 技術容量的三倍——每個裸片高達 48GB 的 NAND——使四分之三的 TB 能夠容納在一個指尖大小的封裝中。
- 降低每 GB 的成本——第一代 3D NAND 的架構旨在實現比平面 NAND 更好的成本效率。
- 快速 – 高讀/寫帶寬、I/O 速度和隨機讀取性能。
- 綠色——新的睡眠模式通過切斷非活動 NAND 芯片的電源（即使同一封裝中的其他芯片處於活動狀態）實現低功耗使用，從而顯著降低待機模式下的功耗。
- 智能 – 創新的新功能與前幾代產品相比，可改善延遲並提高耐用性，並使系統集成更加容易。
庫存情況
256Gb MLC 今天在精選合作夥伴處提供樣品，384Gb 將在本季度晚些時候提供樣品。 預計將於 2015 年下半年開始生產。
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