東芝宣布開發出名為 BiCS 的 48 層三維堆疊單元結構閃存，這是一種每單元 2 位的 128 吉比特（16 吉字節）器件。 BiCS 主要適用於固態硬盤，基於 48 層堆疊工藝，可在提高寫入速度的同時增強寫入/擦除耐用性的可靠性。 使用新工藝技術的產品樣品將從今天開始發貨。
為了滿足 2016 年及未來的進一步市場增長，東芝繼續將重點放在開發優化的量產上。 該公司早在 3 年代初就發明了 BiCS 2000D 技術，東芝通過發布專注於大容量應用（包括 SSD）的產品組合，積極支持向 3D 閃存的遷移。 東芝的 3D 技術具有四個主要優勢：3D 技術使用更少的功率、提高耐用性、提高電源效率並提供更高的密度。 因此，這使得該技術成為各種高性能應用用例的理想選擇。
東芝還準備在其位於四日市工廠的新 Fab2 進行大規模生產，這是其 NAND 閃存的生產基地。 大約在去年的這個時候，該公司宣布將更換其位於日本四日市的舊製造工廠，以過渡到 3D NAND 技術。 新的 Fab2 目前正在建設中，將於 2016 年上半年完工。
美光和英特爾今天也宣布共同開發了一種新的 3D NAND 技術。
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