英特爾和美光在今年的閃存峰會上獲得了一些獎品。 兩人憑藉公司的 20 納米 NAND 閃存工藝技術獲得了最具創新閃存技術獎。 英特爾和美光的 20 納米 8GB NAND 芯片以最小的外形提供最大的容量。
與現有的 20 納米 8GB NAND 設備相比，118 納米 30GB 芯片的尺寸僅為 40 毫米，電路板空間減少了 25% 至 8%。 閃存佈局的減少提供了更高的系統級效率，並在平板電腦和智能手機等設備中為更大容量的電池或額外的硬件等設備提供了更多空間。
NAND 能小到什麼程度？
目前，固態硬碟領域大多數頂級產品都採用英特爾/美光25nm NAND閃存，只有少數產品使用東芝32nm Toggle NAND快閃記憶體。向20nm NAND快閃記憶體過渡是合乎邏輯的下一步，但晶片尺寸縮小製程也有其限制。大多數跡象表明，消費級和企業級固態硬碟將在2012年過渡到20nm NAND快閃記憶體，並在2013年中後期進一步縮小至1Xnm。此後，美光等產業領導者正在研發3D NAND技術，這將為容量和硬碟效能帶來巨大的新機會。
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