鎧俠（Kioxia）和閃迪（Sandisk）宣布了一項聯合資本投資計劃，總額超過31億美元（約5萬億日元），旨在到2032年擴大日本先進3D NAND快閃記憶體的生產規模。該計劃的資金投入取決於日本政府的補貼，並建立在雙方長達25年的製造合作關係之上。此前，雙方已向日本本土製造基礎設施投入超過50億美元。
這筆資本支出將用於資助合資企業位於四日市和北上工廠的主要製造中心的高級工具、人工智慧驅動的無塵室自動化以及基礎設施擴建。雙方的目標是確保未來多年的比特成長，並隨著企業工作負載、超大規模基礎設施、邊緣部署和客戶端人工智慧架構中高密度儲存需求的加速成長，穩定全球快閃記憶體供應。
北上工廠Fab3建設工程正在進行中
根據投資路線圖，鎧俠已啟動Fab3的場地準備工作。 Fab3是位於岩手縣北上工廠Fab2南側的一座新型半導體製造廠。 Fab3旨在生產下一代BiCS FLASH 3D NAND技術，預計於2029財年投產。最終的部署計劃、無塵室建設和設備安裝將根據市場需求和最終確定的政府支持撥款分階段進行調整。
此次擴張是繼1月正式將四日市工廠的合資企業營運架構延長至2034年12月之後進行的。合資企業結構允許兩家公司共同投資晶圓製造資產，共享製程技術開發，並利用智慧製造系統來提高前沿節點過渡的生產良率。
領導階層對長期策略的看法
高階領導強調，持續的資本投入對於維持對高要求運算平台的位元密度、能源效率和高頻寬輸出的競爭力至關重要。
「這項聯合投資進一步鞏固了我們與閃迪的長期合作夥伴關係，也彰顯了鎧俠致力於推動人工智慧社會發展的堅定承諾。」鎧俠總裁兼執行長太田博夫表示。他也指出，日本政府的戰略支持對於維持生產競爭力至關重要。
「數十年來，閃迪和鎧俠一直攜手開發世界一流的NAND快閃記憶體技術，」閃迪董事長兼執行長大衛·格克勒表示。格克勒指出，此次投資計畫符合公司的業務策略和財務指導，既能確保滿足不斷增長的客戶需求，也能為合資企業所在社區創造新的經濟機會。
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