SK海力士在8月4日至6日於聖克拉拉會議中心舉行的「2026年未來儲存大會」上，展示了其涵蓋HBM、伺服器DRAM、NAND和CXL擴展的全面「全端式」AI記憶體產品組合。該公司重點展示了向智慧體AI的轉型，以及從專注於單一產品性能轉向整合記憶體架構的必要性。 SK海力士與三星共同展示了其3D記憶體路線圖，我們已另行報導。
分層記憶體和高頻寬快閃記憶體
SK海力士在本次展會上發表了第三場主題演講，主題為「在智能體AI時代，透過分層記憶體建構高效的AI基礎設施」。演講由執行副總裁兼解決方案開發負責人金春成和副總裁兼下一代產品規劃負責人姜旭松共同完成。他們的觀點是：隨著AI代理處理的資料量呈指數級增長，記憶體架構必須演進為「分層記憶體」系統。金春成表示：“決定整體效率的關鍵在於每個內存層（HBM、DRAM、NAND（HBF）和SSD）的佈局以及如何連接才能最大限度地減少數據移動。”
高頻寬快閃記憶體 (HBF)是此分層策略的重要組成部分。 SK 海力士將 HBF 描述為一種新型記憶體技術，它採用類似於 HBM 的 TSV 堆疊技術，以平衡傳統 NAND 的容量和 DRAM 的頻寬。 HBF 定位在超高速 HBM 和高容量 SSD 之間，旨在提高系統可擴展性並降低營運成本。
展會亮點：HBM4 和 375 層 NAND
展廳重點展示了幾個重要的硬體里程碑：
- 下一代 HBM： SK海力士將一款HBM4型號與NVIDIA的下一代Vera Rubin加速器型號並排展示，以說明兩家公司的技術如何融合。展品包括其首款12層48GB HBM4E的實體單元。 7月份進行採樣16層48GB HBM4和12層36GB HBM3E。
- 375層4D NAND： 這是該公司首款採用晶圓鍵結技術的NAND產品。其每瓦性能是上一代產品的2.5倍。基於此NAND的企業級固態硬碟計畫於2027年上半年量產。
- 高容量eSSD： PS1101 是一款基於 QLC 快閃記憶體的 eSSD，其效能比上一代 176 層固態硬碟提升約 55%。預計將於 2026 年 8 月開始向主要雲端服務供應商交付樣品。
- 邊緣人工智慧解決方案： LPDDR6、LPDDR5/5X、UFS 4.1 和 UFS 5.0 產品作為物理 AI 和低功耗邊緣設備的解決方案進行了展示，SK 海力士表示，將在其移動和客戶端 SSD 產品中應用數據感知放置和媒體感知分層技術，以實現邊緣推理。
CXL 和記憶體計算演示
SK海力士透過多個現場示範展示了Compute Express Link (CXL)的實際應用。其中一個示範利用CXL Pooled Memory管理分散式AI代理系統中的KV緩存，顯著提升了效能，優於傳統的基於網路的通訊方式。另一個演示則使用CMM-Hybrid將KV快取預取到DRAM中，同時將主快取保留在SSD上，以實現高容量儲存。
該公司還推出了CMM-Ax，這是一種記憶體運算解決方案，它將運算能力嵌入記憶體中，以加速長上下文LLM推理。 SK海力士關於高效長上下文LLM服務的相關研究成果已被MICRO 2026接收，該公司指出，MICRO 2026是電腦體系結構領域最負盛名的會議。
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