Kurz nach der Ankündigung der Produktion eines 4-GB-DRAM-Moduls hat Samsung nun mit der Massenproduktion eines 256-Gigabyte-Speichers auf Basis des Universal Flash Storage (UFS) 2.0-Standards für High-End-Mobilgeräte der nächsten Generation begonnen – eine weitere Branchenneuheit. Samsung gibt an, dass der neue Speicher eine herausragende Leistung auf Mobilgeräten bieten und die Leistung einer typischen SATA-SSD für PCs übertreffen wird.
Der neue eingebettete 256-GB-Speicher nutzt die fortschrittlichsten V-NAND-Flash-Speicherchips von Samsung sowie einen speziell entwickelten Hochleistungscontroller. Da es auf dem UFS-2.0-Standard basiert, kann es außerdem bis zu 45,000 bzw. 40,000 IOPS beim zufälligen Lesen und Schreiben verarbeiten, was mehr als doppelt so schnell ist wie die 19,000 bzw. 14,000 IOPS der vorherigen Generation von UFS-Speicher.
Das 256-GB-UFS von Samsung nutzt außerdem zwei Datenübertragungsspuren, die 850 MB/s beim sequentiellen Lesen und 260 MB/s beim Schreiben erreichen können. Samsung fügt hinzu, dass der 256 GB große UFS-Speicher dadurch die nahtlose Wiedergabe von Ultra HD-Videos und Multitasking-Funktionen auf Mobilgeräten mit großem Bildschirm unterstützen wird, einschließlich der Wiedergabe von 4K-Ultra HD-Filmen auf einem geteilten Bildschirm, während Bilddateien durchsucht oder Videoclips heruntergeladen werden. Durch die Verwendung der fortschrittlichen Speichertechnologie von Samsung sind die neuen UFS-Speicherchips außerdem äußerst kompakt und sogar kleiner als eine Micro-SD-Karte.
Samsung plant, sein Premium-Speichersortiment zu erweitern, das auf seinem fortschrittlichen V-NAND-Flash-Speicher (einschließlich des neuen 256 GB UFS) basiert, und beabsichtigt, sein Produktionsvolumen entsprechend der weltweiten Nachfrage zu erhöhen.
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