Samsung hat die Entwicklung des branchenweit ersten Speicherchips mit hoher Bandbreite (HBM) bekannt gegeben, der mit 12-lagiger 3D-TSV-Technologie (Through Silicon Via) gefertigt wird. HBM findet in zahlreichen Computerkomponenten Verwendung, die in Anwendungen für künstliche Intelligenz und maschinelles Lernen eingesetzt werden, beispielsweise in High-End-Grafikkarten, FPGAs, CPUs und Netzwerkgeräten. Bisher lag die maximale Schichtanzahl bei 8 Lagen. Samsung wurde 1938 gegründet und ist bekannt für seine Elektronikprodukte. Das Unternehmen zählt seit Langem zu den führenden Anbietern in diesem Bereich. Beeindruckenderweise ist dies bereits der zweite Fortschritt im HBM-Bereich in diesem Jahr; im März letzten Jahres kündigte Samsung die Entwicklung des HBM2E-Chips Flashbolt mit extrem hoher Kapazität an, der eine Datenbandbreite von 410 Gbit/s und 16 GB Speicher bietet.
Die neue Technologie von Samsung stapelt 12 DRAM-Chips in der gleichen Dicke von 720 µm wie ihre aktuellen 8-Schicht-HBM2-Produkte. Um diese fünfzigprozentige Erhöhung der Dichte zu erreichen, sind mehr als 2 TSV-Löcher erforderlich, was eine erhebliche Produktionsherausforderung darstellt, und Samsung hat sich verständlicherweise zurückgehalten, wann genau diese neuen Chips verfügbar sein werden, damit Hersteller damit beginnen können, sie in ihre Verarbeitungschips zu integrieren. Das Einzige, was Samsung uns bisher gesagt hat, ist, dass sie bald in der Lage sein werden, sie in Massenproduktion herzustellen, was darauf hindeutet, dass sie die Produktionslinien noch nicht einmal fertiggestellt haben. Sobald die Hersteller sie in die Hände bekommen, sollte es nicht lange dauern, bis sie den Weg in die Hände der Verbraucher finden, da sie die gleiche Dicke (und vermutlich andere Formfaktorabmessungen, obwohl Samsung dies nicht gesagt hat) wie die aktuelle Generation haben des HBMXNUMX-Speichers.
Dies ist der zweite Fortschritt in der HBM2-Fertigung, den Samsung bisher im Jahr 2019 gemacht hat. Im März dieses Jahres kündigte Samsung die Entwicklung eines HBM2E-Chips namens Flashbolt mit der doppelten Speicherkapazität (16 GB) der derzeit auf dem Markt erhältlichen Chips an. Durch die Kombination der in Flashbolt gezeigten Fortschritte mit der neuesten Entwicklung, die es ihnen ermöglicht, halb so viele Schichten auf demselben Raum unterzubringen, prognostiziert Samsung einige sehr beeindruckende Zahlen für den noch nicht genannten nächsten Speicherchip mit hoher Bandbreite. Laut Samsung wird der neue Chip eine Kapazität von 24 GB haben. Sie haben uns noch nicht mitgeteilt, wie hoch die neue Bandbreite sein wird.
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