Samsung Electronics hat gerade bekannt gegeben, dass es mit der Produktion von NAND-Chips der 20-nm-Klasse für den Einsatz in SD-Speicherkarten und eingebetteten Lösungen begonnen hat. Der neue Prozess, der einen 30-nm-Prozess verbessert, bringt eine bessere Leistung und Dichte für Speicherlösungen. Ein neuer 32-Gbit-(Gigabit)-MLC-NAND-Chip erweitert Samsungs Portfolio an Speicherlösungen.
Laut Samsung weisen die 20-nm-MLC-NAND-Chips eine um 50 Prozent höhere Produktivität auf als die 30-nm-NAND-Chips der vorherigen Generation. Die Schreibleistung einer 8-GB-SD-Karte ist 30 % schneller als die der auf der 30-nm-Klasse basierenden SD-Karten. Dadurch erhält der Speicher eine Geschwindigkeitsstufe von 10 (20 MB/s Lesen, 10 MB/s Schreiben). Die Zuverlässigkeitsniveaus entsprechen denen der 30-nm-Klasse.
Die ersten produzierten Chips der 20-nm-Klasse wurden im März fertiggestellt und Muster werden nun an Kunden ausgeliefert. Die Produktion der neuen Chips wird im Herbst ausgeweitet. Speicherkarten mit 20-nm-Chips haben eine Kapazität von 4 GB bis 64 GB.
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