Heute gab Samsung Electronics Co., Ltd. auf dem Flash Memory Summit in Santa Clara, Kalifornien, mehrere Ankündigungen zu seiner 4-schichtigen vertikalen NAND-Technologie (V-NAND) der vierten Generation bekannt. Zu diesen neuen Lösungen gehören eine 64-TB-SAS-SSD, eine ultraleichte 32-TB-BGA-SSD und eine neue Hochleistungs-Z-SSD. Der heute vorgestellte Entwurf zeigt, wie Samsung Flash-Produkte der nächsten Generation entwickeln will, um den ständig wachsenden Anforderungen zunehmender Datenmengen gerecht zu werden.
Nicht nur, dass die Datenmengen rasant wachsen, auch Big Data, Cloud Computing und Echtzeitanalysen drängen darauf, Kapazitäten zu beanspruchen und die Leistung zu beeinträchtigen. Samsung unterstützt Kunden mit der Einführung seines V-NAND der 4. Generation bei der Bewältigung dieser Probleme. Mit der neuesten Generation von V-NAND konnte Samsung 30 % mehr Schichten von Zell-Arrays stapeln, von 64 auf 48. Dies bedeutet, dass eine Single-Die-Dichte bis zu 512 GB bei einer E/A-Geschwindigkeit von 800 Mbit/s betragen kann. Samsung behauptet, dass diese neuen Lösungen in der Lage sein werden, enorme Datenmengen und extrem schnelle Informationsverarbeitung zu bewältigen und gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Rechenzentren zu verbessern.
Samsung bewirbt seine neue SAS-SSD als die weltweit größte für Unternehmenssysteme. Zwar bietet sie aktuell nicht die höchste Kapazität – Seagate hat eine 60-TB-SSD im Angebot und Toshiba präsentierte auf dem Flash Memory Summit eine 100-TB-SSD –, aber sie ist die SAS-SSD mit der größten Kapazität, die auf 512-Gbit-V-NAND-Chips basiert. Samsung verwendet diese 512-Gbit-Chips und stapelt 16 Lagen zu einem 1-TB-Paket. Anschließend werden 32 dieser Pakete in ein 2.5-Zoll-Laufwerk integriert, um eine 32-TB-SSD zu realisieren. Zum Vergleich: Diese neue SSD kann den Platzbedarf im System um bis zu 40 Mal reduzieren, verglichen mit einem System mit zwei HDD-Racks. Samsung geht davon aus, dass die Weiterentwicklung der V-NAND-Technologie bis 2020 SSDs mit über 100 TB ermöglichen wird.
Samsung kündigt außerdem eine neue 1-TB-SSD im BGA-Gehäusedesign (Ball Grid Array) an (die V-NAND, DRAM und Samsung-Controller enthalten wird). Diese superkleine SSD, die weniger als ein Gramm wiegt, soll eine Leistung von 1.5 GB/s beim sequentiellen Lesen und 900 MB/s beim sequentiellen Schreiben haben. Dieses Laufwerk ist ideal für ultrakompakte Notebooks, Tablets und Convertibles der nächsten Generation. Samsung wird dieses neue Laufwerk durch die Einführung einer neuen Verpackungstechnologie mit hoher Dichte namens „FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging)“ auf den Markt bringen, die Samsung Electronics zusammen mit Samsung Electro-Mechanics entwickelt hat.
Und schließlich kündigt Samsung eine Z-SSD mit ultrahoher Leistung und extrem geringer Latenz an. Obwohl Samsung an den Details gespart hat, gab er an, dass die Z-SSD über ein einzigartiges Schaltungsdesign und einen Controller verfügt, der die Leistung maximieren kann, mit viermal schnellerer Latenz und 1.6-mal besserem sequentiellem Lesen als die Samsung PM963 NVMe SSD.
Verfügbarkeit
Samsung beabsichtigt, die neuen V-NAND-Flash-Produkte der 4. Generation bis zum vierten Quartal dieses Jahres bereitzustellen. Die 32-TB-SAS-SSD, die 1-TB-BGA und die Z-SSD werden voraussichtlich nächstes Jahr verfügbar sein.
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