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SanDisk und Toshiba kündigen 15-nm-NAND-Flash an

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SanDisk und Toshiba haben angekündigt, dass sie voraussichtlich in der zweiten Hälfte dieses Jahres mit der Massenlieferung von 15-nm-NAND beginnen werden. Bisher hat sich die Produktionsqualität von NAND weitgehend auf den 19/20-nm-Bereich reduziert. Das Joint Venture wird die 15-nm-Flash-Technologie auf NAND-Flash-Speicherarchitekturen mit zwei Bit pro Zelle und drei Bit pro Zelle ausweiten. Die Arbeiten werden in Fab 5 durchgeführt und ersetzen die 19-nm-NAND-Fertigung. Derzeit befindet sich eine zweite Stufe von Fab 5 im Bau, die auch 15-nm-NAND verarbeiten wird.

SanDisk bezeichnet den Prozessknoten als „den fortschrittlichsten der Branche … der es uns ermöglicht, die weltweit kleinsten und kostengünstigsten 128-Gigabit-Chips zu liefern.“ Das Unternehmen nutzt Prozess- und Designinnovationen, um die Chips entlang beider Achsen zu skalieren. Darüber hinaus integriert SanDisk seine All-Bit-Line (ABL)-Architektur, die eigene Programmieralgorithmen und Speicherverwaltungsschemata enthält, ohne die Leistung oder Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. Die neuen Flash-Chips Es wird erwartet, dass sie die gleiche Schreibleistung wie die 19-nm-Technologie bieten, jedoch dank einer neuen, schnelleren Schnittstelle eine um 30 % schnellere Datenübertragungsrate bieten.

Auch wenn über die Technologie-Highlights hinaus nur wenige Details bekannt sind, gehen SanDisk und Toshiba davon aus, 15-nm-NAND in allen ihren Flash-Lösungen zu verwenden, von Speicherkarten bis hin zu Enterprise-SSD-Lösungen. 

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Brian Beeler

Brian lebt in Cincinnati, Ohio und ist Chefanalyst und Präsident von StorageReview.com.