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WDC kündigt 3D-NAND-Technologie mit vier Bits pro Zelle an

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Heute gab Western Digital Corp. bekannt, dass es erfolgreich eine X4-Flash-Speicherarchitektur mit vier Bits pro Zelle entwickelt hat, die auf 64-Layer-3D-NAND-BiCS3-Technologie basiert. WD hat seine Innovation der X4-Technologie auf sein 2D-NAND übertragen, darauf aufgebaut (sowohl aus technologischer als auch aus kommerzieller Sicht) und die neue X4-Technologie für 3D-NAND entwickelt. WD wird im August auf dem Flash Memory Summit in Santa Clara, Kalifornien, neue SSDs mit der BiCS3-X4-Technologie vorstellen.

Western Digital blickt auf eine fast 30-jährige Erfolgsgeschichte mit zahlreichen Innovationen im Bereich Flash-Speicher zurück. Dazu gehören Multi-Level Cell (MLC)-Flash-Technologien mit zwei (X2) und drei (X3) Bit pro Zelle. Dank der umfassenden vertikalen Integration des Unternehmens (einschließlich Siliziumwafer-Verarbeitung, Geräteentwicklung für sechzehn unterschiedliche Datenebenen in jedem Speicherknoten und Systemexpertise für das gesamte Flash-Management) konnte die neue X4-Technologie auf den Markt gebracht werden. Die neue BiCS3 X4-Technologie bietet laut Hersteller eine Speicherkapazität von 768 Gigabit auf einem einzigen Chip – eine Steigerung von 50 % gegenüber dem vorherigen 512-Gigabit-Chip mit der X3-Architektur. Trotz dieser Kapazitätserhöhung bietet die Technologie laut WD eine vergleichbare Leistung wie die BiCS3 X3-Technologie.

Die 3D NAND X4-Technologie wird höchstwahrscheinlich in mehreren Produktlinien von WD zum Einsatz kommen und durch die Integration die Kapazität erhöhen. WD beabsichtigt außerdem, die X4-Technologie künftigen Generationen seiner 3D-NAND-Technologie hinzuzufügen, einschließlich des 96-schichtigen BiCS4.

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Adam Armstrong

Adam ist der Chefredakteur für Nachrichten bei StorageReview.com und leitet unsere internen und freiberuflichen Content-Teams.