Intel ha anunciado la serie Optane Persistent Memory 200, la segunda generación de memoria persistente de alto rendimiento de la compañía para los procesadores Intel Xeon Scalable de tercera generación en plataformas de cuatro sockets. Se afirma que la nueva línea de PMem ofrece un promedio de un 25 % más de ancho de banda de memoria en comparación con la generación anterior, una potencia de diseño térmico (TDP) de entre 12 y 15 vatios, y está disponible en capacidades de hasta 512 GB.
Leer más – Reseña del Intel PMem 200
Las plataformas optimizadas para procesadores de tercera generación pueden admitir un módulo de la serie Intel Optane PMem 3 por canal (y hasta seis en un solo zócalo), lo que significa que ofrece hasta 200 TB de PMem por zócalo y una capacidad de memoria total (con DRAM) de 3 TB por socket. También cuenta con persistencia de datos para la memoria, donde los datos permanecen en PMem después de reinicios planificados y accidentales. Esto ayuda a eliminar recargas de datos innecesarias para reducir el tiempo de inactividad y reducir las pérdidas por interrupciones del sistema.
Intel indica las siguientes formas en que la serie Intel Optane PMem 200 mejorará las métricas clave del centro de datos:
- Aumento de la utilización de la CPU y la utilidad de cada servidor
- Mayor rendimiento de la aplicación con más capacidad de memoria
- Mayor densidad de VM o compatibilidad con más servicios y usuarios
- Compatibilidad con bases de datos en memoria más grandes sin etiquetas de precio prohibitivas
- Mejore la resiliencia empresarial para sistemas con datos críticos
- Consolide el espacio del servidor, reduzca los costos de licencias de software y maximice el retorno de la inversión empresarial
La serie Intel Optane PMem 200 también aprovecha el cifrado AES-256 transparente a las aplicaciones para los datos en reposo, lo que protege los datos en la memoria persistente sin cambios en el código de software y con un impacto mínimo en el rendimiento.
Intel agrega que la serie Optane PMem 200 ayudará a los usuarios a extraer más datos de conjuntos de datos más grandes, lo que brindará mucha utilidad a cada servidor. Además, las bases de datos en memoria pueden acceder a más datos a "velocidades similares a DRAM" y cargas de trabajo que procesan conjuntos de datos masivos, continuamente sin cargar y almacenar datos localmente repetidamente.
Especificaciones de la serie 200 de memoria persistente Intel Optane
| (SKU)+ | 128 GB | 256 GB | 512 GB | |||
| CAPACIDAD DE USUARIO+ | 126.7 GiB | 253.7 GiB | 507.7 GiB | |||
| ENDURANCE 100% ESCRIBE 15W 256B |
292 peso corporal | 497 peso corporal | 410 peso corporal |
| ENDURANCE 67% LEE; 33% ESCRIBE 15W 256B | 224 peso corporal | 297 peso corporal | 242 peso corporal |
| ENDURANCE 100% ESCRIBE 15W 64B | 73 peso corporal | 125 peso corporal | 103 peso corporal |
| ENDURANCE 67% LEE; 33% ESCRIBE 15W 64B | 56 peso corporal | 74 peso corporal | 60 peso corporal |
| ANCHO DE BANDA 100% LEER 15W 256B | 7.45 GB / s | 8.10 GB / s | 7.45 GB / s |
| ANCHO DE BANDA 67% LEE; 33% ESCRIBE 15W 256B | 4.25 GB / s | 5.65 GB / s | 4.60 GB / s |
| ANCHO DE BANDA 100% ESCRIBE 15W 256B | 2.25 GB / s | 3.15 GB / s | 2.60 GB / s |
| ANCHO DE BANDA 100% LEER 15W 64B | 1.86 GB / s | 2.03 GB / s | 1.86 GB / s |
| ANCHO DE BANDA 67% LEE; 33% ESCRIBE 15W 64B | 1.06 GB / s | 1.41 GB / s | 1.15 GB / s |
| ANCHO DE BANDA 100% ESCRIBE 15W 64B | 0.56 GB / s | 0.79 GB / s | 0.65 GB / s |
| FRECUENCIA DDR | 2666 MT / s | ||
| TDP MÁX. | 15 W | 18 W | |
| TEMPERATURA (TJMAX) | ≤ 83 °C (85 °C apagado, 83 °C predeterminado) temperatura del medio | ||
| TEMPERATURA (AMBIENTE) | 48 °C a 2.4 m/s para 12 W | ||
| TEMPERATURA (AMBIENTE) | 43 °C a 2.7 m/s para 15 W | ||
Disponibilidad
La serie Intel Optane Persistent Memory 200 está disponible y se envía ahora.
Leer más – Reseña del Intel PMem 200
Amazon