Hoy en Computex, Micron Technology Inc. anunció su nueva NAND de celda de nivel triple (TLC) basada en su proceso de 16 nm. Este nuevo TLC NAND se suma a la creciente cartera de dispositivos de almacenamiento flash de Micron. La nueva NAND establecerá un equilibrio entre el costo y el rendimiento de los productos flash de consumo, como los SSD de consumo y las unidades flash USB.
Hoy en Computex, Micron Technology Inc. anunció su nueva NAND de celda de nivel triple (TLC) basada en su proceso de 16 nm. Este nuevo TLC NAND se suma a la creciente cartera de dispositivos de almacenamiento flash de Micron. La nueva NAND establecerá un equilibrio entre el costo y el rendimiento de los productos flash de consumo, como los SSD de consumo y las unidades flash USB.
Micron afirma que TLC NAND constituye aproximadamente la mitad de los dispositivos flash enviados. TLC ajusta tres bits en cada celda de datos flash creando una mejor densidad y capacidad a una mejor eficiencia de costos. TLC es un diseño probado y confiable que ha estado en producción y uso durante un tiempo. Los clientes pueden estar tranquilos sabiendo que Micron ofrece soporte de un amplio equipo de soporte de diseño, que actúan como asesores de confianza para garantizar una calificación sin problemas y un rendimiento óptimo de la solución final. Micron afirma además que los clientes y socios clave ya han comenzado a integrar su nueva NAND en sus nuevos diseños, lo que garantiza una adopción fácil.
Micron ve el TLC NAND de 16 nm como una buena solución para las aplicaciones de consumo actuales a medida que avanzan hacia 3D NAND el próximo año (con productos como uno que están lanzamiento conjunto con Intel). El nuevo TLC se une a una lista bastante grande de productos flash que Micron ofrece desde el consumidor hasta la empresa que abarca varias aplicaciones.
Disponibilidad
El TLC NAND de 16GB está en producción y envío ahora. Se esperan soluciones SSD de consumo con la nueva tecnología este otoño y Micron lanzará sus propios productos SSD basados en el nuevo TLC NAND en el mismo período de tiempo.
