Samsung ha anunciado que su línea de fabricación de memorias en Xi'an, China, ha entrado en operaciones de fabricación a gran escala en sus nuevas instalaciones, que fabricarán los chips de memoria flash NAND avanzados de Samsung, 3D V-NAND.
El vicepresidente y director ejecutivo de Samsung, el Dr. Oh-Hyun Kwon, hizo todo lo posible por el evento de inauguración de la planta, que recibió a una gran cantidad de asistentes, incluidos dignatarios gubernamentales como Zhao Zhengyong, secretario del Comité del Partido Comunista de China de la provincia de Shaanxi, Lou Qinjian, gobernador de la provincia de Shaanxi, y Young-se Kwon, Embajador de la República de Corea ante la República Popular China. Otros invitados incluyeron proveedores y clientes de Samsung.
La construcción de la nueva planta de fabricación tomó aproximadamente 20 meses y comenzó en septiembre de 2012. El área total de la planta es de aproximadamente 750,000 282 pies cuadrados ubicada en XNUMX acres de terreno.
Al comenzar sus operaciones en China, Samsung ha asegurado una sólida base de producción de memoria en un mercado donde se genera aproximadamente el 50 por ciento de la memoria flash NAND global; todo desde bases de producción operadas por numerosas empresas de TI. Samsung planea completar la construcción de todo su complejo de Xi'an, incluida una planta de ensamblaje y una línea de prueba, para fines de 2014.
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