Samsung ha comenzado la producción en masa de su sistema de almacenamiento flash universal integrado (eUFS) 2.1 de 1 TB, diseñado para su uso en aplicaciones móviles de última generación. Al igual que el lanzamiento de su versión de 128 GB , se trata de una primicia en la industria. Esta nueva tecnología también permitirá a los usuarios de smartphones disponer de una capacidad de almacenamiento similar a la de un ordenador portátil de gama alta, eliminando la necesidad de complementar su almacenamiento con tarjetas microSD.
Aunque el nuevo eUFS tiene el doble de capacidad en comparación con la versión anterior, utiliza el mismo tamaño de paquete (11.5 mm x 13.0 mm). Samsung pudo lograr esto al combinar 16 capas apiladas de su memoria flash V-NAND de 512 Gb más avanzada, además de un controlador patentado recientemente desarrollado.
El eUFS de 1 TB ofrece velocidades de transferencia de lectura de hasta 1 GB/s, que es aproximadamente el doble de la velocidad de un SSD de consumidor SATA tradicional. Samsung agrega que el rendimiento de la velocidad de lectura aleatoria ha mejorado hasta en un 38 % en comparación con la versión anterior de 512 GB, con un máximo de 58,000 50,000 IOPS. Se espera que las escrituras aleatorias alcancen hasta XNUMX XNUMX IOPS.
Disponibilidad
No hay una fecha concreta sobre cuándo se implementará en general el nuevo eUSF de 1 TB de Samsung en los dispositivos móviles; sin embargo, se espera que amplíen la producción de V-NAND de 512 Gb en su planta de Pyeongtaek durante la primera mitad de 2019. Sin duda, habrá una gran demanda por parte de las empresas móviles de su nuevo eUFS de 1 TB.
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