Samsung Electronics ha anunciado el inicio de la producción en masa del primer paquete de DRAM de 4 GB del sector, basado en la interfaz de memoria de alto ancho de banda de segunda generación (HBM2). Diseñado para computación de alto rendimiento (HPC), gráficos avanzados, sistemas de red y servidores empresariales, Samsung indica que ofrecerá una velocidad más de siete veces superior a las limitaciones de rendimiento de la DRAM actual, lo que se traduce en una mayor capacidad de respuesta para tareas informáticas de alto nivel. Esto se produce tras la presentación por parte de la compañía de una memoria RDIMM DDR4 3D TSV de 128 GB el pasado octubre.
En la imagen, 128 GB 3D TSV DDR4 RDIMM
Aprovechando la tecnología de proceso de 20 nanómetros más eficiente de Samsung y el diseño de chip HBM avanzado, el paquete HBM4 de 2 GB se crea apilando un troquel de búfer en la parte inferior y cuatro troqueles de núcleo de 8 Gb en la parte superior (un solo troquel contiene más de 5,000 agujeros TSV). Samsung explica que luego se interconectan verticalmente mediante agujeros TSV y microbaches. El nuevo paquete DRAM de Samsung también duplica el ancho de banda de la generación anterior con 256 GBps. Además, permite una mayor eficiencia energética al duplicar el ancho de banda por vatio en una solución basada en 4Gb-GDDR5 mientras incorpora la funcionalidad ECC para una alta confiabilidad.
Samsung indica que planea producir un paquete de DRAM HBM8 de 2 GB dentro de este año, lo que permitirá a los diseñadores beneficiarse del ahorro de espacio en más del 95 por ciento en comparación con la DRAM GDDR5. Como resultado, serán posibles soluciones más óptimas para dispositivos compactos que requieren capacidades informáticas de gráficos de alto nivel.
Samsung agrega que aumentará gradualmente la tasa de volumen de producción de su DRAM HBM2 en el transcurso de 2016 para satisfacer la demanda del mercado de sistemas de red y servidores.
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