Hoy, Samsung Electronics Co., Ltd. lanzó una versión de 800 GB de su Z-SSD, SZ985. Esta nueva unidad está dirigida a casos de uso como aplicaciones de inteligencia artificial (AI), big data, computación de alto rendimiento (HPC) e Internet de las cosas (IoT). La nueva versión de 800 GB, así como la de 240 GB, del Z-SSD se presentará en ISSCC 2018 del 11 al 15 de febrero en San Francisco.
El Z-SSD es un SSD de cuatro carriles de rendimiento ultra alto y latencia ultra baja que se anunció por primera vez hace más de un año, pero Samsung es particularmente tacaño con los detalles. La compañía cita un rendimiento de lectura aleatoria de 750 170 IOPS, escritura aleatoria de 16 10 IOPS y 3 μs de latencia, lo que lo hace sustancialmente más rápido que una unidad NVMe. Afirman que los chips Z-NAND tienen un rendimiento de lectura de celda 1.5 veces mayor que los chips V-NAND de 4 bits. La unidad también viene equipada con DRAM LPDDRXNUMX de XNUMX GB y un controlador de alto rendimiento.
El Z-SSD tiene números de resistencia de 30DWPD durante cinco años o 43PB en total y 2 millones de horas MTBF. Los casos de uso incluyen datos de caché de alta velocidad, procesamiento de datos de registro, IA, big data e IoT.
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